研究成果の概要 |
n型半導体ZnOナノロッド/p型半導体CuBr_(1-x)I_x(=CuBrI, x=0.5)構造の透明太陽電池の作製を試みた.ZnOナノロッドは水熱合成法で,CuBrIはCuBr, CuIを2メトキシエタノールとモノエタノールアミンに溶解させた溶液をZnOナノロッドに塗布することで作製した.約25mm四方で作製した際は部分的に短絡していたため発電しなかったが,5mm四方に切断し短絡個所をなくした結果,紫外光照射により電流が発生した.さらにZnOとCuBrI間にZn_(1-x)Mg_xO界面層を挿入した結果,発電電流密度が未挿入の場合に比べて10倍に増加した.
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