| 研究課題/領域番号 |
18KK0414
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| 研究機関 | 成蹊大学 |
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研究代表者 |
三浦 正志 成蹊大学, 理工学部, 教授 (10402520)
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| 研究期間 (年度) |
2018 – 2020
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| キーワード | 酸化物強磁性材料 / トポロジカル絶縁体 / 磁気抵抗メモリ |
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| 研究実績の概要 |
本研究では、人工ナノひずみ制御技術を熱電や超伝導だけでなく、電子が有する磁石としての性質(スピン)を利用したスピントロニクスデバイスに発展させることを目指した。2019年度は、①これまで研究してきた銅酸化物超伝導体に新たなひずみを導入する手法を発見し、これにより更なる電気特性向上に成功した。②新たに発見された酸化物超伝導体へのひずみの影響を調べるために、還元処理によりナノひずみを制御し、それらが高磁場特性に及ぼす影響を調べた。③酸化物強磁性エピタキシャル薄膜へのひずみを印加・制御するため、異なる基板上に酸化物強磁性薄膜を作製し、磁化の温度依存性に及ぼす影響を調べた。④磁気抵抗メモリ応用に期待されているトポロジカル絶縁体/磁性エピタキシャル薄膜へのひずみを印加・制御するため、異なる基板上に作製し、スピンホール角、スピンホール伝導率、磁化反転電流密度にそれらが及ぼす影響を調べた。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
実験としては様々な成果が得られており、その成果はいくつかの学術論文に投稿準備中であり全体としておおむね順調と考えている。
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| 今後の研究の推進方策 |
2020年度は、2019年度に得られた実験結果をまずは、積極的に学術論文や国際学会を通した成果の発信に努める。また、現在得られている成果をもとに更なるひずみ制御が様々な機能性材料の機能(電気特性)に及ぼす影響を明らかにする。
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