Si系LSI内広帯域配線層の為のInP系メンブレン光・電子デバイス

2011 年度 実績報告書

• 研究課題/領域番号: 19002009
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 荒井 滋久 東京工業大学, 量子ナノエレクトロニクス研究センター, 教授 (30151137)
• 研究分担者: 丸山 武男 金沢大学, 電子情報学系, 准教授 (60345379)
• キーワード: インターコネクション / グローバル配線 / 半導体レーザ / トランジスタ / テラヘルツ / InP / 光電融合

研究概要

【光デバイス】
低消費電力メンブレン半導体レーザ実現に向けて、昨年度まで問題とされていた横電流注入構造において内部量子効率が低いことに関して、表面におけるリーク電流および非発光再結合に着目し、表面InP層を厚膜化することによって、従来の縦注入型半導体レーザとほぼ同程度の内部量子効率をもつ横注入型半導体レーザを実現した。また、メンブレン半導体レーザの発振しきい値を3.8mAまで低減することに成功し、作製した構造における理論的な値にほぼ近いデバイスを実現した。これより、さらなる薄膜化、短共振器化に取り組むことにより、サブミリアンペア動作可能な低消費電力メンブレン半導体レーザ実現のめどをつけた。
【電子デバイス】
昨年度Si基板上に貼付けたメンブレン型のInGaAs MOSFETの高電流密度駆動を行う為に、InGaAs MOSFETにおいて、短チャネル化とソースへの高濃度エピタキシャル層導入を行い、ドレイン電圧1V時に3A/mmというMOSFETでの世界最高の電流値を得た。また、絶縁ゲート型ホットエレクトロントランジスタでは、今までのショットキードレインを半導体ドレイン層に変えることで、三倍以上電圧利得を向上させた。
【テラヘルツデバイス】
テラヘルツデバイスについては、井戸幅を縮小した共鳴トンネルダイオード(RTD)を用いて電子デバイスで最高周波数の1.3THz室温基本波発振を達成した。また、オフセットアンテナとアレイにより0.62THzにおいてこの周波数帯の半導体発振素子では最高の出力0.6mWを得た。さらに、RTDによる0.56THz無線伝送を行い、伝送速度3Gbpsで訂正可能なエラーレート10_3以下を得た。伝送回路の最適化により数十Gbpsも可能であることを示した。

研究成果

• [雑誌論文] Room-temperature operation of npn-AlGaInAs/InP multiple quantum well transistor laser emitting at 1.3-μm wavelength (2012)
  • 著者名/発表者名: M.Shirao, T.Sato, Y.Takino, N.Sato, N.Nishivama, S.Arai
  • 雑誌名: Optics Express 巻: Vol.20 ページ: 3975-3982
  • DOI: DOI:10.1364/OE.20.003983
  • 査読あり
• [雑誌論文] Estimation of Transit time in Terahertz Oscillating Resonant Tunneling Diodes with Graded Emitter and Thin Barriers (2012)
  • 著者名/発表者名: A.Teranishi, S.Suzuki, K.Shizuno, M.Asada, H.Sugiyama, H.Yokoyama
  • 雑誌名: Trans.Electron.IEICE of Japan 巻: Vol.E95-C ページ: 401-407
  • DOI: DOI:10.1587/transele.E95.C.401
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fundamental Oscillation up to 1.08 THz in Resonant Tunneling Diodes with High-Indium Composition Transit Layers for Reduction of Transit Delay (2012)
  • 著者名/発表者名: A.Teranishi, K.Shizuno, S.Suzuki, M.Asada, H.Sugiyama, H. Yokoyama
  • 雑誌名: IEICE Electron. Express 巻: vol.9 ページ: 385-390
  • DOI: DOI:10.1587/elex.9.385
  • 査読あり
• [雑誌論文] Reduction of Output Conductance in Vertical InGaAs Channel Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor Using Heavily Doped Drain Region (2012)
  • 著者名/発表者名: H.Saito, Y.Miyamoto
  • 雑誌名: Appl.Phys.Express 巻: vol.5 ページ: 024101-1-024101-3
  • DOI: DOI:10.1143/APEX.5.024101
  • 査読あり
• [雑誌論文] Magnetic Interactions at Optical Frequencies in an InP-Based Waveguide Device with Metamaterial (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya, T.Shindo, D.Takahashi, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: IEEE J.Quantum Electron 巻: Vol.47 ページ: 736-744
  • DOI: DOI:10.1109/JOE.2011.2108268
  • 査読あり
• [雑誌論文] Room-Temperature Continuous-Wave Operation of 1.3-μm Transistor Laser with AlGaInAs/InP Quantum Wells (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Shirao, T.Sato, Y.Takino, N.Sato, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: Appl.Phys.Express 巻: Vol.4 ページ: 072101-1-3
  • DOI: DOI:10.1364/OE.20.003983
  • 査読あり
• [雑誌論文] Nonunity permeability in metamaterial-based GaInAsP/InP multimode interferometers (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya, T.Shindo, D.Takahashi, S.Myoga, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: Optics Lett. 巻: Vol.36 ページ: 2327-2329
  • DOI: DOI:10.1364/OL.36.002327
  • 査読あり
• [雑誌論文] Regrowth Interface Quality Dependence on Thermal Cleaning of AlGaInAs/InP Buried-Heterostructure Lasers (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Takino, M.Shirao, T.Sato, N.Nishiyama, T.Amemiya, S.Arai
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys 巻: Vol.50 ページ: 070203-1-3
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.50.070203
  • 査読あり
• [雑誌論文] Low-power-consumption High-eye-margin 10 Gbit/s Operation by GaInAsP/InP Distributed Reflector Lasers with Wirelike Active Regions (2011)
  • 著者名/発表者名: S.H.Lee, D.Takahashi, T.Shindo, K.Shinno, T.Amemiya, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: IEEE Photon.Technol.Lett. 巻: Vol.23 ページ: 1349-1351
  • DOI: DOI:10.1109/LPT.2011.2160938
  • 査読あり
• [雑誌論文] Bonding and Photoluminescence Characteristics of GaInAsP/InP Membrane Structure on Silicon-on-Insulator Waveguides by Surface Activated Bonding (2011)
  • 著者名/発表者名: R.Osabe, T.Okumura, S.Kondo, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys 巻: Vol.50 ページ: 088005
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.50.088005
  • 査読あり
• [雑誌論文] Lateral-Current-Injection Distributed Feedback Laser with Surface Grating Structure (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo, T.Okumura, H.Ito, T.Koguchi, D.Takahashi, Y.Atsumi, J.Kang, R.Osabe, T.Amemiya, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: IEEE J.Sel.Top.Quantum Electron 巻: Vol.17 ページ: 1175-1182
  • DOI: DOI:10.1109/JSTQE.2011.2131636
  • 査読あり
• [雑誌論文] GaInAsP/InP Membrane Lasers for Optical Interconnects (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Arai, N.Nishiyama, T.Maruyama, T.Okumura
  • 雑誌名: IEEE J.Sel.Top.Quantum Electron. 巻: Vol.17(Invited) ページ: 1381-1389
  • DOI: DOI:10.1109/JSTQE.2011.2128859
  • 査読あり
• [雑誌論文] Low-loss Amorphous Silicon Multilayer Waveguides Vertically Stacked on Silicon-on-Insulator Substrate (2011)
  • 著者名/発表者名: J.Kang, Y.Atsumi, M.Oda, T.Amemiya, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: Vol.50 ページ: 120208-1-3
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.50.120208
  • 査読あり
• [雑誌論文] Athermal wavelength filters toward optical interconnection to LSIs, Photonic Devices using Nanofabrication Technology and Their Applications (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Atsumi, M.Oda, J.Kang, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: IEICE Transactions 巻: Vol.E95-C ページ: 229-236
  • DOI: DOI:10.1587/transele.E95.C.229
  • 査読あり
• [雑誌論文] High Output Power (～400μW)Oscillators at around 550GHZ Using Resonant Tunneling Diodes with Graded Emitter and Thin Barriers (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Shiraishi, H.Shibayama, K.Ishigaki, S.Suzuki, M.Asada, H.Sugiyama, H.Yokoyama
  • 雑誌名: Appl.Phys.Express 巻: vol.4 ページ: 064101
  • DOI: DOI:10.1143/APEX.4.064101
  • 査読あり
• [雑誌論文] Terahertz Oscillators Using Electron Devices-an Approach with Resonant Tunneling Diodes (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Asada, S.Suzuki
  • 雑誌名: IEICE Electron.Express 巻: vol.8 ページ: 1110-1126
  • DOI: DOI:10.1587/elex.8.1110
  • 査読あり
• [雑誌論文] Heterodyne Mixing of Sub-Terahertz Output Power from Two Resonant Tunneling Diodes Using InP Schottky BarrierDiode (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki, K.Karashima, K.Ishigaki, M.Asada
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: vol.50 ページ: 080211
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.50.080211
  • 査読あり
• [雑誌論文] High Uniformity InP-Based Resonant Tunneling Diode Wafers with Peak Current Density of over 6×10^5 A/cm^2 Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Sugiyama, A.Teranishi, S.Suzuki, M.Asada
  • 雑誌名: J.Crystal Growth 巻: Vol.336 ページ: 24-28
  • DOI: DOI:10.1016/j.jcrysgro.2011.09.010
  • 査読あり
• [雑誌論文] 電子デバイスによるテラヘルツ光源 (2011)
  • 著者名/発表者名: 浅田雅洋、鈴木左文
  • 雑誌名: 電気学会論文誌A(基礎・材料共通) 巻: Vol.131-A ページ: 21-25
• [雑誌論文] 高精度結晶成長技術による共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器の実現 (2011)
  • 著者名/発表者名: 杉山弘樹, 鈴木左文, 浅田雅洋
  • 雑誌名: NTT技術ジャーナル 巻: vol.23 ページ: 12-17
• [雑誌論文] Deviation from Proportional Relationship between Emitter Charging Time and Inverse Current of Heterojunction Bipolar Transistors Operationg at High Current Dentity (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Yamada, T.Uesawa, Y.Miyamoto, K. Furuya
  • 雑誌名: IEEE Electron Device Lett 巻: vol.32 ページ: 4, 491-493
  • DOI: DOI:10.1109/LED.2011.2107497
  • 査読あり
• [雑誌論文] InP/InGaAs Composite MOSFETs with Regrown Source andAl_2O_3gate dielectric Exhibiting Maximum Drain Current Exceeding 1.3 mA/μm (2011)
  • 著者名/発表者名: R.Terao, T.Kanazawa, S.Ikeda, Y.Yonai, A.Kato, Y.Miyamoto
  • 雑誌名: Appl.Phys.Express 巻: vol.4 ページ: 054201-1-054201-3
  • DOI: DOI:10.1143/APEX.4.054201
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication of InP/InGaAs DHBTs with buried SiO_2 wires (2011)
  • 著者名/発表者名: N.Takebe, T.Kobayashi, H.Suzuki, Y.Miyamoto, K.Furuya
  • 雑誌名: EICE Trans.Electron 巻: vol.E94-C ページ: 830-834
  • DOI: DOI:10.1587/transele.E94.C.830
  • 査読あり
• [学会発表] 金属側壁層有するInP系プラズモニック導波路の作製評価,電気情報通信学会 (2012)
  • 著者名/発表者名: 村井英淳
  • 学会等名: 電子情報通信学会2012年総合大会
  • 発表場所: 岡山
  • 年月日: 2012-03-23
• [学会発表] 多層アモルファスシリコン細線導波路間の信号伝送用グレーティングカプラ (2012)
  • 著者名/発表者名: 姜〓〓
  • 学会等名: 電子情報通信学会2012年総合大会
  • 発表場所: 岡山
  • 年月日: 2012-03-22
• [学会発表] 温度無依存B埋め込みSiスロットリング共振器を用いたドロップフィルタ (2012)
  • 著者名/発表者名: 小田学
  • 学会等名: 電子情報通信学会2012年総合大会
  • 発表場所: 岡山
  • 年月日: 2012-03-22
• [学会発表] 横方向電流注入型半導体薄膜レーザの直接変調帯域の検討 (2012)
  • 著者名/発表者名: 進藤隆彦
  • 学会等名: 電子情報通信学会2012年総合大会
  • 発表場所: 岡山
  • 年月日: 2012-03-21
• [学会発表] ブロッホ波干渉型低損失連結クロス導波路の作製評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 渥美裕樹
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-03-18
• [学会発表] スロット導波路と方向性結合器の関係 (2012)
  • 著者名/発表者名: 森野久康
  • 学会等名: 第59回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-03-18
• [学会発表] BCB貼り付け法によるSi基板上GaInAsP細線1×2 MMIの作製 (2012)
  • 著者名/発表者名: 李智恩
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] チップ内光配線に向けた横接合導波路型GaInAsフォトダイオードの10Gb/s動作 (2012)
  • 著者名/発表者名: 小口貴之
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] 狭井戸共鳴トンネルダイオードによるテラヘルツ発振素子の高出力化 (2012)
  • 著者名/発表者名: 金谷英敏
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] ボウタイアンテナ集積型Ni-InP SBDのカットオフ周波数向上と感度測定 (2012)
  • 著者名/発表者名: 丸山薫
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] InPエッチング異方性による微細InGaAsチャネルMOSFET (2012)
  • 著者名/発表者名: 米内義晴
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] 1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの室温連続動作 (2012)
  • 著者名/発表者名: 佐藤孝司
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] GaInAs/InP半導体上メタマテリアルにおける共振波長変化の金属膜厚依存性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 明賀聖慈
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] 横方向電流注入型レーザの内部量子効率向上 (2012)
  • 著者名/発表者名: 信野圭祐
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] 0.35mmBiCMOSプロセスによるSi-APDの特性評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 前北和晃
  • 学会等名: 第59回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] CMOS-APDの青色波長帯での受光特性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 霜鳥敏之
  • 学会等名: 第59回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] Nd3+錯体を添加したポリスチレン光導波路の発光特性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 寺澤佳大
  • 学会等名: 第59回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] ITOバッファ層を用いたSi基板上PZT,PLZT薄膜の作製と評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 松本真輝
  • 学会等名: 第59回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] テラヘルツ発振器に集積可能な光-テラヘルツ信号直接変換器の設計 (2012)
  • 著者名/発表者名: 武大助
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-03-15
• [学会発表] エピタキシャル成長ソースによるInGaAs MOSFETの高電流密度化 (2012)
  • 著者名/発表者名: 宮本恭幸
  • 学会等名: 電気学会電子デバイス研究会
  • 発表場所: 熱海
  • 年月日: 2012-03-08
• [学会発表] 共鳴トンネルダイオードによる室温テラヘルツ光源 (2012)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: 電気学会パワー半導体光源とその応用技術調査専門委員会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-02-20
• [学会発表] THz Oscillation of Resonant Tunneling Diode and Its Basic Properties for Wireless Transmission (2012)
  • 著者名/発表者名: 浅田雅洋
  • 学会等名: テラヘルツ応用システム研究会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-02-10
• [学会発表] Room-Temperature Terahertz Oscillation of Resonant Tunneling Diodes and Preliminary Experiments on Wireless Communication Application (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: Japan-Korea Joint Workshop
  • 発表場所: Nagoya
  • 年月日: 2011-12-19
• [学会発表] アモルファスシリコンを用いた多層光導波路作製法の検討 (2011)
  • 著者名/発表者名: 姜〓〓
  • 学会等名: 電子情報通信学会光エレクトロニクス研究会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2011-12-16
• [学会発表] 表面活性化接合によるAlInAs酸化狭窄型GaInAsP/Siハイブリッドレーザの検討 (2011)
  • 著者名/発表者名: 長部亮
  • 学会等名: 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2011-12-16
• [学会発表] InGaAs MOSFETの高電流密度化 (2011)
  • 著者名/発表者名: 宮本恭幸
  • 学会等名: 電子デバイス研究会(ED)
  • 発表場所: 仙台
  • 年月日: 2011-12-14
• [学会発表] High Drain Current (>2A/mm) InGaAs channel MOSFET at V_D=0.5 V with Shrinkage of Channel Length by InP Anisotropic Etching (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Yonai
  • 学会等名: 2011 Int.Electron Device Meeting (IEDM 2011)
  • 発表場所: Washington, USA
  • 年月日: 2011-12-06
• [学会発表] THz Oscillating Resonant Tunneling Diode and Its Basic Properties for Wireless Communications (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: Terahertz Nano-Science & Workshop on Int.Terahertz Research Network
  • 発表場所: Osaka
  • 年月日: 2011-11-28
• [学会発表] Wireless Data Transmission at ～560 GHz with Direct Modulation of RTD Oscillator (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Ishigaki
  • 学会等名: Terahertz Nano-Science & Workshop on Int.Terahertz Research Network
  • 発表場所: Osaka
  • 年月日: 2011-11-28
• [学会発表] 幅広ギャップを有するBCB埋め込み温度無依存Siスロット導波路波長フィルタ (2011)
  • 著者名/発表者名: 小田学
  • 学会等名: 第16回シリコンフォトニクス研究会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2011-11-25
• [学会発表] 光インターコネクションに向けた低損失GaInAsP細線導波路の実現 (2011)
  • 著者名/発表者名: 李智恩
  • 学会等名: 第16回シリコンフォトニクス研究会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2011-11-25
• [学会発表] GaInAsP/InP横方向電流注入型メンブレンDFBレーザの低しきい値動作化 (2011)
  • 著者名/発表者名: 二見充輝
  • 学会等名: 第16回シリコンフォトニクス研究会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2011-11-25
• [学会発表] SOI基板上多層アモルファスシリコン導波路の低損失伝搬特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 姜〓〓
  • 学会等名: 第16回シリコンフォトニクス研究会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2011-11-25
• [学会発表] 表面活性化接合法によるAlInAs酸化狭窄型GaInAsP/SOIハイブリッドレーザの検討 (2011)
  • 著者名/発表者名: 長部亮
  • 学会等名: 第16回シリコンフォトニクス研究会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2011-11-25
• [学会発表] ポリシリコン光検出器のサブGHz応答 (2011)
  • 著者名/発表者名: 乙坂英志
  • 学会等名: 電子情報通信学会シリコンフォトニクス研究会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2011-11-25
• [学会発表] 活性層にIr(ppy)3を用いた緑色帯有機VCSELの提案 (2011)
  • 著者名/発表者名: 上木孝司
  • 学会等名: 第13回有機EL討論会
  • 発表場所: 大阪
  • 年月日: 2011-11-21
• [学会発表] ITOバッファ層を用いたSi基板上PZT,PLZT薄膜の作製と評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 松本真輝
  • 学会等名: 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
  • 発表場所: 金沢
  • 年月日: 2011-11-18
• [学会発表] SOI基板への金属-半導体-金属光検出器の作製 (2011)
  • 著者名/発表者名: 田堅
  • 学会等名: 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
  • 発表場所: 金沢
  • 年月日: 2011-11-18
• [学会発表] Development of High Resolution FMCW Sensing System by Using a Single-mode Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) (2011)
  • 著者名/発表者名: Pakkaporn Ratanachaijaroen
  • 学会等名: 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
  • 発表場所: 金沢
  • 年月日: 2011-11-18
• [学会発表] アモルファスシリコン回折格子を用いた垂直方向結合器の設計 (2011)
  • 著者名/発表者名: 李根
  • 学会等名: 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
  • 発表場所: 金沢
  • 年月日: 2011-11-18
• [学会発表] 共鳴トンネルダイオードの基本波1THz室温発振 (2011)
  • 著者名/発表者名: 浅田雅洋
  • 学会等名: 第2回集積光デバイスと応用技術時限研究専門委員会(IPDA)研究会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2011-11-16
• [学会発表] Si-based Optical Devices toward On-Chip Interconnection and One-Chip Router-Athermal, Amorphous, and III-V on Si (2011)
  • 著者名/発表者名: N.Nisiyama
  • 学会等名: The 1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, ISPEC2011
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2011-11-14
• [学会発表] GaInAsP/InP Lateral-Current-Injection Membrane DFB Laser with Surface Grating Structure (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo
  • 学会等名: The 1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, ISPEC2011
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2011-11-14
• [学会発表] Athermal Wavelength Filters toward Photonic Integrated Circuits (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Atsumi
  • 学会等名: The 1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, ISPEC2011
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2011-11-14
• [学会発表] Design of Multi-functional GaInAsP/Si Hybrid Semiconductor Optical Amplifier (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Fukuda
  • 学会等名: The 1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, ISPEC2011
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2011-11-14
• [学会発表] Low-loss Amorphous Silicon Wire Waveguides Multilayer Stacked on SOI (2011)
  • 著者名/発表者名: J.H.Kang
  • 学会等名: The 1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, ISPEC2011
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2011-11-14
• [学会発表] Low-Loss GaInAsP Photonic Wire Waveguide for Optical Interconnection (2011)
  • 著者名/発表者名: J.Lee
  • 学会等名: The 1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, ISPEC2011
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2011-11-14
• [学会発表] GHz Response of Polycrystalline Silicon Photodiode Fabricated by Standard CMOS Process (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Maruyama
  • 学会等名: The 1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC 2011)
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-11-14
• [学会発表] 共鳴トンネルダイオードによる室温テラヘルツ光源 (2011)
  • 著者名/発表者名: 浅田雅洋
  • 学会等名: 学術振興会第182委員会第11回研究会
  • 発表場所: 浜松
  • 年月日: 2011-10-24
• [学会発表] Non-unity Permeability in InP-based Mach-Zehnder Interferometer with Metamaterial (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya
  • 学会等名: 2011 IEEE Photonics Conference (IPC-2011)
  • 発表場所: Arlington, USA
  • 年月日: 2011-10-13
• [学会発表] Carrier Concentration Dependent Resonance Frequency Shift in Metamaterial Loaded Semiconductor (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Myoga
  • 学会等名: 2011 IEEE Photonics Conference (IPC-2011)
  • 発表場所: Arlington, USA
  • 年月日: 2011-10-13
• [学会発表] Lateral Current Injection Laser with Uniformly Distributed Quantum-Well Structure (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo
  • 学会等名: 2011 IEEE Photonics Conference (IPC-2011)
  • 発表場所: Arlington, USA
  • 年月日: 2011-10-13
• [学会発表] Membrane InP-based Lasers and Related Devices for On-chip Interconnects (2011)
  • 著者名/発表者名: N.Nishiyama
  • 学会等名: 2011 IEEE Photonics Conference (IPC-2011)
  • 発表場所: Arlington, USA
  • 年月日: 2011-10-13
• [学会発表] Intensity Modulation of Sub-Terahertz Oscillating Resonant Tunneling Diode by Irradiation of 1.55-μm Laser (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Kaburaki
  • 学会等名: IEEE Photonics Conference (IPC 11)
  • 発表場所: Arlington/VA, USA
  • 年月日: 2011-10-13
• [学会発表] Room-Temperature Lasing Operation of a 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Sato
  • 学会等名: 2011 IEEE Photonics Conference (IPC-2011)
  • 発表場所: Arlington, USA
  • 年月日: 2011-10-12
• [学会発表] Direct Modulation of THz-Oscillating Resonant Tunneling Diodes (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Ishigaki
  • 学会等名: Infrared and Millimeter Waves & Terahertz Electronics (IRMMW-THz 2011)
  • 発表場所: Huston, USA
  • 年月日: 2011-10-05
• [学会発表] Dependence of Output Power on Slot Antenna Width in Terahertz Oscillatin Resonant Tunneling Diodes (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Shibayama
  • 学会等名: Infrared and Millimeter Waves & Terahertz Electronics (IRMMW-THz 2011)
  • 発表場所: Huston, USA
  • 年月日: 2011-10-05
• [学会発表] High-currento-density InP ultrafine devices for high-speed operation (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Miyamoto
  • 学会等名: Infrared and Millimeter Waves & Terahertz Electronics (IRMMW-THz 2011)
  • 発表場所: Huston, USA
  • 年月日: 2011-10-04
• [学会発表] GaAsSb/InGaAs Vertical Tunnel FET with a 25 nm-wide Channel Mesa Structure (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Fujimatsu
  • 学会等名: 2011 Int.Conf.Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)
  • 発表場所: Aichi, Japan
  • 年月日: 2011-09-29
• [学会発表] Active Layer Thickness Dependence of the Bandwidth of Amorphous Silicon Photoconductors (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Maruyama
  • 学会等名: 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)
  • 発表場所: Nagoya
  • 年月日: 2011-09-29
• [学会発表] Wide-Gap Athermal Si-Slot Mach-Zhender Interferometer Embedded with Benzocyclobutene (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Atsumi
  • 学会等名: The 8th Int.Conf, on Group IV Photonics
  • 発表場所: London, UK
  • 年月日: 2011-09-16
• [学会発表] メタマテリアルを有するInP系マッハツェンダー導波路における透磁率変化の推定 (2011)
  • 著者名/発表者名: 雨宮智宏
  • 学会等名: 電子情報通信学会2011年ソサイエティ大会
  • 発表場所: 札幌
  • 年月日: 2011-09-15
• [学会発表] オンチップ光通信に向けたInP/Si貼り付け技術とその光デバイス特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 雨宮智宏
  • 学会等名: 電子情報通信学会2011年ソサイエティ大会
  • 発表場所: 札幌
  • 年月日: 2011-09-15
• [学会発表] BCB埋め込み温度無依存SiスロットMZI型波長フィルタ信号伝送特性の温度依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 小田学
  • 学会等名: 電子情報通信学会2011年ソサイエティ大会
  • 発表場所: 札幌
  • 年月日: 2011-09-15
• [学会発表] オンチップ光配線に向けた光導波路作製 (2011)
  • 著者名/発表者名: 姜〓〓
  • 学会等名: 電子情報通信学会2011年ソサイエティ大会
  • 発表場所: 札幌
  • 年月日: 2011-09-15
• [学会発表] 金属側壁層を有するプラズモニックDFBレーザの理論解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 雨宮智宏
  • 学会等名: 電子情報通信学会2011年ソサイエティ大会
  • 発表場所: 札幌
  • 年月日: 2011-09-14
• [学会発表] 電子ランチャを持つInGaAs MOSFETにおけるヘテロ障壁高さ依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 池田俊介
  • 学会等名: 電子情報通信学会2011年ソサイエティ大会
  • 発表場所: 札幌
  • 年月日: 2011-09-13
• [学会発表] ソース裏面電極によるInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFETのアクセス抵抗低減 (2011)
  • 著者名/発表者名: 加藤淳
  • 学会等名: 電子情報通信学会2011年ソサイエティ大会
  • 発表場所: 札幌
  • 年月日: 2011-09-13
• [学会発表] GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いた縦型トンネルFETの作製・評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 藤松基彦
  • 学会等名: 電子情報通信学会2011年ソサイエティ大会
  • 発表場所: 札幌
  • 年月日: 2011-09-13
• [学会発表] Nd錯体を添加したポリスチレン光導波路の発光特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 寺澤佳大
  • 学会等名: 電気関係学会北陸支部連合大会
  • 発表場所: 福井
  • 年月日: 2011-09-11
• [学会発表] 感光性エポキシ樹脂を用いた光導波路の作製 (2011)
  • 著者名/発表者名: 河原健志
  • 学会等名: 電気関係学会北陸支部連合大会
  • 発表場所: 福井
  • 年月日: 2011-09-11
• [学会発表] Nd添加PMMA光導波路の発光特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 藤井洋輔
  • 学会等名: 電気関係学会北陸支部連合大会
  • 発表場所: 福井
  • 年月日: 2011-09-11
• [学会発表] InP系化合物半導体を用いたMOSFETの技術動向 (2011)
  • 著者名/発表者名: 宮本恭幸
  • 学会等名: 電気学会電子・情報・システム部門大会
  • 発表場所: 富山
  • 年月日: 2011-09-09
• [学会発表] 幅広ギャップ構造を有する温度無依存BCB埋め込みSiスロット型リング共振器 (2011)
  • 著者名/発表者名: 渥美裕樹
  • 学会等名: 第72回秋季応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-09-02
• [学会発表] 再成長ソース/ドレインを用いたIII-V族MOSFETの高電流動作 (2011)
  • 著者名/発表者名: 金澤徹
  • 学会等名: 第72回秋季応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-09-02
• [学会発表] ICP-RIEを用いたAlGaInAs/InP埋め込みヘテロ構造レーザ (2011)
  • 著者名/発表者名: 佐藤憲明
  • 学会等名: 第72回秋季応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] 1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの室温パルス動作 (2011)
  • 著者名/発表者名: 佐藤孝司
  • 学会等名: 第72回秋季応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] AlInAs酸化狭窄層を有するGaInAsP/InP-Siハイブリッドレーザの構造設計 (2011)
  • 著者名/発表者名: 長部亮
  • 学会等名: 第72回秋季応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] 横方向電流注入型レーザにおける内部量子効率の量子井戸構造依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 二見充輝
  • 学会等名: 第72回秋季応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] 表面回折格子を有する横方向電流注入型メンブレンDFBレーザ (2011)
  • 著者名/発表者名: 進藤隆彦
  • 学会等名: 第72回秋季応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] Si基板上PZT膜の強誘電特性におけるITOバッファ層依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 江渕真伍
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] 多結晶シリコン光導電素子の活性層の薄膜化による周波数応答の向上 (2011)
  • 著者名/発表者名: 乙坂英志
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] Numerical Analysis of Optical Gain of a 3-terminal HBT-SOA (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Shirao
  • 学会等名: IQEC/CLEO Pacific Rim 2011
  • 発表場所: Sydney, Australia
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] 半導体装荷型メタマテリアルにおけるキャリア濃度に依存した共振周波数変化 (2011)
  • 著者名/発表者名: 明賀聖慈
  • 学会等名: 第72回秋季応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] BCB貼付を用いたSi基板上低損失GaInAsP細線導波路の実現 (2011)
  • 著者名/発表者名: 李智恩
  • 学会等名: 第72回秋季応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] Si導波路幅の制御によるGaInAsP/SiハイブリッドSOA多機能集積のための設計 (2011)
  • 著者名/発表者名: 福田渓太
  • 学会等名: 第72回秋季応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] 共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器における発振出力のアンテナ幅依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 柴山裕孝
  • 学会等名: 第72回秋季応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] 共鳴トンネルダイオード発振素子の直接出力変調と変調周波数上限の外部回路依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 石垣要
  • 学会等名: 第72回秋季応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] 1.55μmレーザ光照射による共鳴トンネルダイオードサブテラヘルツ発振器の出力強度変調 (2011)
  • 著者名/発表者名: 鏑木新治
  • 学会等名: 第72回秋季応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] Terahertz Oscillation of InGaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes at Room Temperature (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: Topical Workshop on Heterostructure Materials (TWHM)
  • 発表場所: Gifu, Japan
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] Fabrication of InP/InGaAs SHBT on Si Substrate by Using Transferred Substrate Process (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Yamaguchi
  • 学会等名: 9th Topical Workshop on Heterostructure Materials (TWHM 2011)
  • 発表場所: Gifu, Japan
  • 年月日: 2011-08-29
• [学会発表] Semiconductor DFB Laser with Plasmonic Metal Layers for Subwavelength Confinement of Light (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya
  • 学会等名: IQEC/CLEO Pacific Rim 2011
  • 発表場所: Sydney, Australia
  • 年月日: 2011-08-28
• [学会発表] Terahertz Oscillation of Resonant Tunneling Diodes at Room Temperature (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: Opto-electronics and Nanostructures (EDISON 17)
  • 発表場所: Santa Barbara, USA
  • 年月日: 2011-08-11
• [学会発表] Stripe Width Dependence of Internal Quantum Efficiency and Carrier Injection Delay in Lateral Current Injection GaInAsP/InP Lasers (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Futami
  • 学会等名: The 16th Opto-Electronics and Communication Conference (OECC2011)
  • 発表場所: Kaohsiung, Taiwan
  • 年月日: 2011-07-07
• [学会発表] Lasing Operation of Lateral-Cvrrent-Injection Membrane DFB Laser with Surface Grating (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo
  • 学会等名: The 16th Opto-Electronics and Communication Conference (OECC2011)
  • 発表場所: Kaohsiung, Taiwan
  • 年月日: 2011-07-06
• [学会発表] Low loss amorphous polyethylene terephthalate (PET) optical waveguides (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Iiyama
  • 学会等名: 16th Opto-Electronics and Communications Conference (OECC 2011)
  • 発表場所: Kaohsiung, Taiwan
  • 年月日: 2011-07-06
• [学会発表] Frequency Response of Amorphous Silicon Photoconductor (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Otosaka
  • 学会等名: 16th Opto-Electronics and Communications Conference (OECC 2011)
  • 発表場所: Kaohsiung, Taiwan
  • 年月日: 2011-07-06
• [学会発表] Wide Bandwidth (>25Gbit/s)Modulation of Low Power Consumption Distributed Reflector Lasers with Wire-like Active Region (2011)
  • 著者名/発表者名: N.Nishiyama
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-06-30
• [学会発表] Reduction of Base-Collector Capacitance in InP/InGaAs DHBT with Buried SiO_2 Wires (2011)
  • 著者名/発表者名: N.Takebe
  • 学会等名: 2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2011)
  • 発表場所: Daejeon, Korea
  • 年月日: 2011-06-29
• [学会発表] Reduction of Access Resistance of InP InGaAs Composite-Channel MOSFET with A Back Source Electrode (2011)
  • 著者名/発表者名: A.Kato
  • 学会等名: 2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2011)
  • 発表場所: Daejeon, Korea
  • 年月日: 2011-06-29
• [学会発表] Room-Temperature THz Oscillation of Resonant Tunneling Diodes (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: Microwave/Terahertz Science and Applications (MTSA 2011)
  • 発表場所: Nanjing, China
  • 年月日: 2011-06-21
• [学会発表] MOVPE-regrown source/drain regions for III-V MOSFETs with high drain current of 1.27 A/mm (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Kanazawa
  • 学会等名: The 23rd Int.Conf.Indium Phosphide & Related Materials (IPRM 2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2011-05-25
• [学会発表] Low-power Consumption and High-eye-margin 10 Gbit/s Operation of Distributed Reflector Laser with Wirelike Active Regions (2011)
  • 著者名/発表者名: D.Takahashi
  • 学会等名: The 23rd Int.Conf.Indium Phosphide and Related Materials (IPRM-2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2011-05-24
• [学会発表] Lasing Operation of Long-Wavelength Transistor Laser Using AlGaInAs/InP Ouantum Well Active Region (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Shirao
  • 学会等名: The 23rd Int.Conf.Indium Phosphide and Related Materials (IPRM-2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2011-05-24
• [学会発表] Uniform BCB Bonding Process Toward Low Propagation Loss (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Maeda
  • 学会等名: The 23rd Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM-2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2011-05-24
• [学会発表] Lateral Current Injection Distributed Feedback Laser with Wirelike Active Regions (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo
  • 学会等名: The 23rd Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM-2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2011-05-24
• [学会発表] High Output Power (～400μW) Oscillators at Around 550 GHz Using Large Area RTD and Optimized Antenna Structure (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Shiraishi
  • 学会等名: Indium Phosphide & Related Materials (IPRM 2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2011-05-24
• [学会発表] Fundamental Oscillation up to 1.08 THz in Resonant Tunneling Diodes with High Indium Composition Transit Layers (2011)
  • 著者名/発表者名: A.Teranishi
  • 学会等名: Indium Phosphide & Related Materials (IPRM 2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2011-05-24
• [学会発表] Reduction of source parasitic capacitance in vertical InGaAs MIS-FET (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Matsumoto
  • 学会等名: The 23rd Int.Conf.Indium Phosphide & Related Materials (IPRM 2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2011-05-24
• [学会発表] Effect of Thermal Cleaning on Regrowth Interface Quality of AlGaInAs/InP Buried Heterostructure Lasers (2011)
  • 著者名/発表者名: N.Sato
  • 学会等名: The 38th Int.Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2011-05-23
• [学会発表] 多結晶シリコン光導電素子の周波数応答 (2011)
  • 著者名/発表者名: 乙坂英志
  • 学会等名: 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
  • 発表場所: 金沢
  • 年月日: 2011-05-20
• [学会発表] 非晶質PETを用いた低損失有機光導波路 (2011)
  • 著者名/発表者名: 飯山宏一
  • 学会等名: 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
  • 発表場所: 金沢
  • 年月日: 2011-05-20