難固溶不純物原子添加半導体のナノ量子構造に関する実験的研究

2008 年度 実績報告書

• 研究課題/領域番号: 19019008
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 周 逸凱 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (60346179)
• 研究分担者: 朝日 一 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (90192947) ; 長谷川 繁彦 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (50189528) ; 江村 修一 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (90127192)
• キーワード: スピンエレクトロニクス / 半導体物性 / MBE / ナノ材料 / 結晶工学

研究概要

本研究では、分子線エピタキシー(MBE)装置を用いて、Cr及びGdを縦型自己形成ナノ細線構造に添加し、実際に磁性不純物濃度及び細線形状を制御しやすいGaCrN及びGaGdNナノロッドを作製する。更に、それらの基本物性を明らかにし、スピンメモリデバイス作製を試みる。本年度は以下のような成果を得た。
(1)GaGdNナノロッドはMBE法により、Si基板上に成長された。Gdの化合物の生成を抑えるために、成長温度をやや低くし、約550℃で成長を行った。走査型電子顕微鏡の観察により、成長温度を低くしてもGaGdNナノロッドの結晶成長ができることがわかった。
(2)Gdセル温度を変え、異なるGd濃度のGaGdNナノロッドを作製し、その形状のGd濃度依存性を調べた。Gd濃度が高いほうが、ナノロッドの径が太くなるとわかった。磁化測定からGaGdNナノロッドが室温強磁性を示し、スピンメモリデバイスの基本材料として、要求している一つ重要な特性を持つことがわかった。
(3)スピンメモリデバイスの一つ基本構造となるGaCrN/AIN多重量子Diskナノロッドを作製し、ナノロッド径は一様な太さで成長することが確認でき、スピンメモリデバイスでは欠かせないGaCrN/AINヘテロをナノロッド中に作製することができた。スピンメモリデバイスの作製に一つの大きな問題点を解決した。また、この様な構造もより磁気特性の良いGaGdNを利用して作製することができる。

研究成果

• [雑誌論文] Structural and magnetic properties of GaGdN/GaN superlattice structures (2009)
  • 著者名/発表者名: Y. K. Zhou, S. W. Choi, S. Kimura, S. Emura, S. Hasegawa and H. Asahi
  • 雑誌名: Thin Solid Films (印刷中)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Crystal growth and characterization of GaCrN nanorods on Si substrate (2009)
  • 著者名/発表者名: H. Tambo, S. Kimura, Y. Yamauchi, Y. Hiromura, S. Emura, S. Hasegawa and H. Asahi
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth (印刷中)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Structural properties of AlCrN, GaCrN and InCrN (2009)
  • 著者名/発表者名: S. Kimura, K. Tolcuda, Y. K. Zhou, S. Ernura, S. Hasegawa and H. Asahi
  • 雑誌名: J. Crystal Growth (印刷中)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Formation of aligned CrN nanoclusters in Cr-delta-doped GaN (2009)
  • 著者名/発表者名: Y. K. Zhou, S. Kimura, S. Emura, S. Hasegawa, and H. Asahi
  • 雑誌名: J. Phys. : Condens. Matter 21 ページ: 064216-1-064216-4
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electronic structure of Ga1-xCrxN and Si-doping effects studied by photoemission and X-ray absorption spectroscopy (2008)
  • 著者名/発表者名: G S. Song, M. Kobayashi, J. I. Hwang, T. Kataoka, M. Takizawa, A. Fujimori, T. Ohkouchi, Y Takeda, T. Okane, Y. Saitoh, H. Yamagami, F.H. Chang, L. Lee, H-J. Lin, D. J. Huang, C. T. Chen, S. Kimura, M. Funakoshi, S. Hasegawa, and H. Asahi
  • 雑誌名: Phys. Rev. B 78 ページ: 033304-1-033304-4
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth and characterization of InCrN and(In, Ga, Cr)N (2008)
  • 著者名/発表者名: S. Kimura, S. Emura, K. Tokuda, Y. Hiromura, S. Hayakawa, Y. K. Zhou, S. Hasegawa, and H. Asahi
  • 雑誌名: Phys. Stat. Sol. c 5 ページ: 1532-1535
  • 査読あり
• [雑誌論文] Large magnetization in high Gd concentration GaGdN and Si-doped GaGdN grown at low temperatures (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. K. Zhou, S. W. Choi, S. Emura, S. Hasegawa, and H. Asahi
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 92 92 ページ: 6062505-1-6062505-3
  • 査読あり
• [雑誌論文] Low temperature molecular-beam epitaxy growth of cubic GaCrN (2008)
  • 著者名/発表者名: S. Kimura, S. Emura, Y Yamauchi, Y. K. Thou_ S. Hasegawa, and H. Asahi
  • 雑誌名: J. Cryst. Growth 310 ページ: 40-46
  • 査読あり
• [学会発表] Ferromagnetism and Luminescence of Diluted Magnetic Semiconductors GaGdN and AlGdN (2008)
  • 著者名/発表者名: S. Emura, M. Takahashi, H. Tambo, T. Nakamura, Y. K Zhou, S. Hasegawa, and H. Asahi
  • 学会等名: 2008 Materials Research Society Fall Meeting
  • 発表場所: ボストン(来国)(招待講演)
  • 年月日: 2008-12-02
• [学会発表] Growth and characterization of transition-metal and rare-earth doped III-nitride based mannetic semiconductors for nano-snintronics (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Asahi, S. Hasegawa, S. Emura, and Y. K. Zhou
  • 学会等名: 4th Handai Nanoscinece ahd Nanotechnology International Symposium
  • 発表場所: 大阪(招待講演)
  • 年月日: 2008-10-01
• [学会発表] Crystal growth and characterization otGaCrN nanorods on Si substrate (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Tambo, S. Kimura, Y. Yamauchi, Y. Hiromura, S. Emura, S. Hasegawa and H. Asahi
  • 学会等名: The 2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides
  • 発表場所: 伊豆
  • 年月日: 2008-10-01
• [学会発表] Magnetic properties of GaGdN studied by SQUID and SX-MCD (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Takahashi, Y. K. Thou, S. Emura, T. Nakamura. S. Hasegawa. and H Asahi
  • 学会等名: 5th International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Semiconductors
  • 発表場所: Foz do Iguacu(ブラジル)
  • 年月日: 2008-08-05
• [学会発表] Annealing effect in GaDyN on optical and magnetic properties (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. K. Zhou, M. Takahashi, S. Emura, S. Hasegawa, H. Asahi
  • 学会等名: 5th International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Semiconductors
  • 発表場所: Foz do Iguacu(ブラジル)
  • 年月日: 2008-08-04
• [学会発表] Structural properties of AICrN, GaCrN and InCrN (2008)
  • 著者名/発表者名: S. Kimura, K. Tokuda, Y. K. Zhou, S. Emura, S. Hasegawa and H. Asahi
  • 学会等名: 15th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: バンクーバー(カナダ)
  • 年月日: 2008-08-04
• [学会発表] Third magnetic phase of GaGdN detected by SX-MCD (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Takahashi, Y. Hiromura, S. Emura, T. Nakamura Y. K. Zhou, S. Hasegawa, and H Asahi
  • 学会等名: 29th International Conference on Physics of Semiconductors
  • 発表場所: リオテジャネイロ(ブラジル)
  • 年月日: 2008-07-30
• [学会発表] Orbital ordering on dilute Cr3+ions doped in GaN (2008)
  • 著者名/発表者名: S. Emura, S. Kimura, K. Tokuda, Yi-Kai Zhou, S. Hasegawa and H Asahi
  • 学会等名: 29th International Conference on Physics of Semiconductors
  • 発表場所: リオデジャネイロ(ブラジル)
  • 年月日: 2008-07-29
• [学会発表] Formation of aligned CrN nano-clusters in Cr-delta-doped GaN (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. K. Thou, S. Kimura, S. Emura, S. Hasegawa and H. Asahi
  • 学会等名: International Conference on Quantum Simulators and Design 2008
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2008-06-01
• [図書] 薄膜ハンドブック(分担執筆) (2008)
  • 著者名/発表者名: 朝日一
  • 総ページ数: 5
  • 出版者: オーム社
• [備考]
  • URL: http://www.sahken.osaka-u.ac.jp/labs/pem/