研究概要 |
本研究の目的は、半導体集積回路の製造で特にその多品種少量生産や短期間の開発に必要とされている、高スループットのマスクレス電子線描画を行う超並列電子線直接描画装置(Massive Parallel Electron Beam Lithography System)を開発することにある。これには半導体集積回路の製造技術を発展させ、ある程度立体的な微細加工を行うMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)と呼ばれる技術を適用する。 CNT(Carbon Nano Tube)を用いて電子源を小さくし、単純な静電レンズによって電子線を集束させるものを、多数配列する研究を行ってきたが、以前の研究では電子源と引き出し電極との間の酸化シリコン膜が、TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)のため長時間で絶縁破壊する問題があった。厚い酸化シリコンを用いられる構造にしてこれを解決するため、シリコン突端にNiを堆積し、熱処理してNiシリサイドとするときに先端だけにNiが残る性質を利用し、シリコン先端にだけ選択的にCNTを形成した(J.Ho他,MNE07)。このCNTに静電レンズを組み合わせた電子源を3×3配列した(C.H.Tsai他,MEMS2008)。 ヒータ付ダイアモンドを用いたSchottky電子源をMEMS技術で製作し、これに静電レンズを組み合わせて配列した電子源を開発した(C.H.Tsai他,Diamond and Related Materials)。 カーボンナノコイルを電界放射電子源として用い、加速した電子を薄いダイアフラムから大気中に取り出し、電子線フォトレジストを塗布した基板を近接させて露光する配列電子源の開発を行い、露光実験に成功した(W.Cho他,Transducers'01)。
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