研究課題
基盤研究(S)
本研究では超並列電子線直接描画に関する要素技術として、カーボンナノチューブ(CNT)を先端に成長させた電子源の作製方法、光によるスイッチングが可能な微小冷陰極、微小ステージの開発、静電レンズの新しい作製法の開発、などをおこなった。また、これらを組み合わせ、電子ビームをスキャンせず、ビームをスイッチングさせながらステージをスキャンさせる方式の超並列電子線描画システムの構築を試みた。
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