| 研究課題/領域番号 |
19104008
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(S)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 研究分野 |
物性Ⅱ
|
|---|
| 研究機関 | 東京大学 |
|---|
研究代表者 |
高木 英典 東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (40187935)
|
|---|
| 研究分担者 |
高山 知弘 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 助教 (40435657)
|
|---|
| 連携研究者 |
ファン ハロルド スタンフォード大学, 応用物理学科, 教授 (30361611)
花栗 哲郎 独立行政法人理化学研究所, 高木磁性研究室, 専任研究員 (40251326)
松野 丈夫 独立行政法人理化学研究所, 高木磁性研究室, 専任研究員 (00443028)
井上 公 独立行政法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス部門, 主任研究員 (00356502)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2007 – 2011
|
| キーワード | 酸化物トランジスタ / 超伝導 / 抵抗変化メモリ / スピン軌道相互作用 |
|---|
| 研究概要 |
本研究は酸化物デバイスの学理構築、および電界誘起物性の開拓を目指した。SrTiO3トランジスタを構築し、界面二次元電子系での絶縁体-超伝導転移を実現した。二元系遷移金属酸化物の抵抗スイッチング現象について、母体酸化物の還元で生じる伝導フィラメントの可視化に成功した。電界効果とスピン軌道相互作用をキーワードとして重い5d遷移金属酸化物に着目し、イリジウム酸化物の新奇スピン軌道誘起電子相を開拓した。
|
