ナノメートル誘電体薄膜の電子物性の理解と制御の研究

2009 年度 自己評価報告書

• 研究課題/領域番号: 19106005
• 研究種目: 基盤研究(S)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 鳥海 明 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (50323530)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2011
• キーワード: 電気・電子材料 / 誘電体物性 / 超薄膜 / 表面・界面物性

研究概要

本研究の目的は、ナノメートル厚絶縁膜の電子構造、誘電性、及びその絶縁膜との界面の性質に関して、材料の物性理解に基づいた系統的な制御指針を構築することである。比誘電率(静的、動的)だけでなく絶縁膜の電子構造、さらに絶縁膜との異種材料界面に研究の焦点をあて、絶縁膜内部電界における電荷再分布、構造変化に伴う原子の動きなど直接目に見えない量を抽出し、その動きの起源を明確にする。

研究成果

• [雑誌論文] Origin of Electric Dipoles Formed at High-k/SiO_2 Interface (2009)
  • 著者名/発表者名: K. Kita, A. Toriumi
  • 雑誌名: Appl.Phys.Lett 94 ページ: 132902-1-3
• [雑誌論文] A Significant Shift of Schottky Barrier Heights at Strongly Pinned Metal/Germanium Interface by Inserting an Ultra-Thin Insulating Film (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Nishimura, K. Kita, A. Toriumi
  • 雑誌名: Appl.Phys.Exp 1 ページ: 51406-1-3
• [学会発表] On the Origin of Anomalous VTH Shift in high-k MOSFETs (2009)
  • 著者名/発表者名: A. Toriumi, K. Kita
  • 学会等名: 215th Meeting, The Electrochemical Society
  • 発表場所: USA
  • 年月日: 20090000
• [図書] Materials Engineering of High-k Gate Dielectrics in "Dielectric Films for Advanced Microelectronics"(edited by M. Baklanov, M. Green and K. Maex) (2007)
  • 著者名/発表者名: A. Toriumi, K. Kita
  • 出版者: John Wiley & Sons, Ltd
• [備考]
  • URL: http://www.adam.t.u-tokyo.ac.jp/publication.html
• [産業財産権] 半導体装置及びその製造方法 (2007)
  • 発明者名: 鳥海明, 西村知紀
  • 権利者名: 東京大学
  • 産業財産権番号: 特願2007-227480
  • 出願年月日: 2007-09-03