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一昨年度までに明らかにした核スピン偏極の大きさと閉じ込めポテンシャルの形状との関係を下に、核スピンの制御性向上の可能性を追求した。具体的には、核スピンの動的偏極が進む際、核スピン系と電子スピン系の相互作用が有効的に格段に強まってスピン波の"超放射"が起こる可能性を追求するために、高純度GaAs/AlGaAsへテロ構造基板上のホールバーチャンネル中にポイントコンタクトをつくり、それをパルス的に操作することで核スピン偏極を局所的に検出することを試みた。しかし、ポイントコンタクトによる検出感度が十分でないことが判明したため、年度後半に、パルスNMRの実時間観測を目指して新たな高純度GaAs/AlGaAsへテロ構造素子の設計にとりかかった。
量子ホール系端状態の研究を発展させ、強磁場中の並列2重量子ドットのひとつを、マクロサイズの孤立した量子ホール電子系の近傍に作成して静電的に結合することにより、量子ドットの有効的な2準位状態と巨視的サイズの孤立2次元電子系に生成するedge-magneo plasmon を強く結合することを計画した。しかし、edge-magnetoplasmonの分散が大きくキャビティーのQ値が十分の値を持たない可能性が明らかになった。そこで、年度後半から直列2重量子ドットを超伝導金属(アルミニウム)によるコプラナー型マイクロ波キャビティーに静電的に結合し、ゼロ磁場で量子ドットの電荷状態による2準位とキャビティー中のマイクロ波光子との強結合を目指す素子作りを開始した。量子準位間隔の大きな(サイズの小さな)直列2重量子ドットのSET動作の確認と、コプラナー導波路によるキャビティーの動作確認を別個に行い、本格的実験の準備を進めた。
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