| 研究概要 |
(1) Ce_xLa_<1-x>Ru_2Si_2の試料作製を継続し、磁気測定とともに、磁場をc面内に加え、メタ磁性転移以下でのdHvA効果の測定を行った。Ce濃度の小さい試料ではすべてのフェルミ面からの信号の観測に成功した。このうちγ振動については、すべての濃度で信号の観測に成功した。観測された信号の強度はCe濃度とともに急速に減少し、その減少の程度は磁場をc軸に加えた時よりも2ケタ小さい。信号強度は量子臨界点で極小となり、一方、有効質量は極大となる。周波数は濃度ともに連続的に変化することが明らかとなった。また、Ce低濃度からフェルミ面は大きく変化しており、Ce低濃度ですでにf電子が遍歴的になっていることを示唆している。
(2) U_<1-x>ThPd_3についてTh濃度を系統的に変え、磁気測定、dHvA効果の測定を行った。磁気測定より四極子転移がTh15%近傍で消失していることが明らかとなった。また、フェルミ面の大きさはTh50%までは濃度とともにほとんど変化していないことが明らかとなった。一方、ThPd3ではフェルミ面がUPd_3と大きく異なることがわかった。
(3) 基底状態で軌道の自由度のみを持つPr_xLa_<1-x>Pb_3について、x=0.0.3,0.95でdHvA効果の測定を行い、低磁場まで信号の観測に成功した。比熱の測定で観測された大きな電子比熱係数の増大に対応する有効質量の異常は観測されなかった。
(4) Ce_xLa_<1-x>Al_2にの単結晶作製を行い、dHvA効果の信号観測に成功した。
(5) ^3Heクライオスタットでのホール効果測定システムを完成した
|
