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2008 年度 実績報告書

六方晶窒化ホウ素結晶の高輝度深紫外線発光制御

研究課題

研究課題/領域番号 19205026
研究機関独立行政法人物質・材料研究機構

研究代表者

谷口 尚  独立行政法人物質・材料研究機構, ナノ物質ラボ, グループリーダー (80354413)

研究分担者 渡邊 賢司  独立行政法人物質・材料研究機構, 光材料センター, 主幹研究員 (20343840)
津田 統  独立行政法人物質・材料研究機構, 光材料センター, 特別研究員 (10242041)
大場 史康  京都大学, 工学研究科, 助教 (90378795)
山田 貴壽  産業技術総合研究所, ダイヤモンド研究センター, 研究員 (30306500)
小林 一昭  独立行政法人物質・材料研究機構, 計算科学センター, 主幹研究員 (00354150)
キーワード六方晶窒化ホウ素 / 深紫外線発光 / 金属フラックス結晶成長 / 自由励起子発光
研究概要

これまで、反応性のアルカリ溶媒を用いた高圧環境下でのみ合成されていた、高輝度の深紫外線発光を呈する高純度六方晶窒化ホウ素(hBN)の常圧合成プロセスを確立した。Ni系の遷移金属にMoを添加した溶媒を用い、新たに試作した縦型結晶成長炉を用いて、1500℃付近での窒素一気圧下でアルミナ基板上にhBN結晶を得た。得られたhBN結晶の発光特性は高圧合成によるものと同様に、波長215nm付近の高輝度のバンド端発光を呈した。六方晶窒化ホウ素の低温(8K)におけるバンド端の詳細な光学特性の観測を行い、バンド端で特徴的な4つの準位からなるスペクトル系列をみいだした。このバンドは既報の理論予測に合致する。しかし、この理論予測には結晶の対称性を考慮していないという問題があるため、実験結果と理論を矛盾無く説明する動的ヤンテラー効果を取り入れたエキシトンバンドモデルを提案している。このモデルによりエキシトンの大きな振動子強度やエキシトンの自己束縛状態の形成などが分かり、六方晶窒化ホウ素の特異なエキシトンの全貌が明らかになりつつある。(投稿中)。
hBNへの制御されたドーピングとして成功したセリウム(Ce)添加系について,X線吸収端微細構造(XANES)の測定と第一原理計算を行い,Ceの電子状態を明らかにした。

  • 研究成果

    (28件)

すべて 2009 2008

すべて 雑誌論文 (10件) (うち査読あり 8件) 学会発表 (18件)

  • [雑誌論文] Hexagonal Boron Nitride Single Crystal Growth at Atmospheric Pressure Using Ni-Cr Solvent2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kubota, K. Watanabe, O. Tsuda, T. Taniguchi
    • 雑誌名

      CHEMISTRY OF MATERIALS 20

      ページ: 1661-1663

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Structure of chemically derived mono- and few-atomic-layer boron nitride sheets2008

    • 著者名/発表者名
      W. Han, L. Wu, Y. Zhu, K. Watanabe, T. Taniguchi
    • 雑誌名

      APPLIED PHYSICS LETTERS 93

      ページ: 223103-1-3

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Synthesis of Cubic Boron Nitride Using Ni-Mo Alloy as a Solvent2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kubota, T. Taniguchi
    • 雑誌名

      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 47

      ページ: 8375-8378

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Characterization of p-n junctions in wide-gap semiconductors using a cathodoluminescence/electron-beam-induced current technique2008

    • 著者名/発表者名
      T. Sekiguchi, X. L. Yuan, S. Koizumi, T. Taniguchi
    • 雑誌名

      Beam Injection Based Nanocharacterization of Advanced Materials

      ページ: 139-152

  • [雑誌論文] Time-resolved photoluminescence in band-edge region of hexagonal boron nitride single crystals2008

    • 著者名/発表者名
      K. Watanabe, T. Taniguchi, T. Kuroda O. Tsuda, H. Kanda
    • 雑誌名

      Diamond and Related Materials 17

      ページ: 830-832

    • 査読あり
  • [雑誌論文] First-principles approach to chemical diffusion of lithium atoms in a graphite intercalation compound2008

    • 著者名/発表者名
      K. Toyoura, Y. Koyama, A. Kuwabara, F. Oba, I. Tanaka
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B 78

      ページ: 214303-1-12

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electron emission mechanism of hydrogenated natural type IIb diamond (111)2008

    • 著者名/発表者名
      H. Yamaguchi, I. Saiso, Y. Kudo, T. Masuzawa, T. Yamada, M. Kudo, Y. Takakywa, K. Okano
    • 雑誌名

      Diamond and Related Materals 17

      ページ: 162-166

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Combined X-ray photoelectron spectroscopy/ultraviolet photoelectron spectroscopy/field emission spectroscopy for characterization of electron-emission mechanism of diamond2008

    • 著者名/発表者名
      H. Yamaguchi, Y. Kudo, M. Kudo, T. Yamada, Y. Takakywa, K. Okano
    • 雑誌名

      Journal of Vacuum Science and Technology B 26

      ページ: 737

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Field emission from modified P-doped diamond surface with different barrier height2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kudo, T. Yamada, H. Yamaguchi, T. Masuzawa, I. Saito, S. Shikata C. E. Nebel, K. Okano
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 47

      ページ: 9821-8924

    • 査読あり
  • [雑誌論文] リン添加ダイヤモンドナノチップアレーからの電界電子放出特性2008

    • 著者名/発表者名
      山田貴壽, Christoph E. Nebel, 鹿田真一
    • 雑誌名

      信学技法 ED2008-11

      ページ: 11-14

  • [学会発表] 六方晶窒化ホウ素を発光層に用いた電子線励起遠紫外発光デバイス2009

    • 著者名/発表者名
      渡邊賢司, 谷口尚, 新山剛宏, 宮健太, 谷口昌照
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学,つくば市
    • 年月日
      2009-03-31
  • [学会発表] Carrier doping in Hexagonal Boron Nitride via Intercalation : A First-Principles Study / Carrier doping in Hexagonal Boron Nitride via Intercalation : A First-Principles Study2009

    • 著者名/発表者名
      大場史康, 東後篤, 田中功, 谷口尚, 渡辺賢司
    • 学会等名
      日本金属学会2009年春期(第144回)大会
    • 発表場所
      東京工業大学 大岡山キャンパス,東京都
    • 年月日
      2009-03-29
  • [学会発表] Fabrication of nano-whisker structures of P-doped diamond for field emitters2008

    • 著者名/発表者名
      T. Yamada, C. E. Nebel, S. SHikata
    • 学会等名
      4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia
    • 発表場所
      松江,島根県
    • 年月日
      20081028-20081031
  • [学会発表] リン添加ダイヤモンドチップアレーからの電界電子放出2008

    • 著者名/発表者名
      山田貴壽, Christoph E. Nebel, 鹿田真一
    • 学会等名
      第22回ダイヤモンドシンポジウム
    • 発表場所
      早稲田大学,東京都
    • 年月日
      20081021-20081022
  • [学会発表] リン添加ダイヤモンドチップアレーからの電界電子放出特性2008

    • 著者名/発表者名
      山田貴壽, C. E. Nebel, 鹿田真一
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学,愛知県
    • 年月日
      20080902-20080905
  • [学会発表] リン添加ダイヤモンドナノチップアレーからの電界電子放出特性2008

    • 著者名/発表者名
      山田貴壽, C. E. Nebel, 鹿田真一
    • 学会等名
      電子情報通信学会研究会
    • 発表場所
      静岡大学,静岡県
    • 年月日
      20080802-20080803
  • [学会発表] Nano-structured phosphorus-doped diamond arrays for field emitters2008

    • 著者名/発表者名
      T. Yamada, C. E. Nebel, S. Shikata
    • 学会等名
      21th International Vacuum Nanoelectronics Conference
    • 発表場所
      Wroctaw, ポーランド
    • 年月日
      20080713-20080717
  • [学会発表] Ni系金属溶媒を用いた高圧下温度差法による立方晶窒化ホウ素単結晶成長2008

    • 著者名/発表者名
      谷口尚
    • 学会等名
      第49回高圧討論会
    • 発表場所
      姫路市商工会議所,兵庫県
    • 年月日
      2008-11-12
  • [学会発表] 10-12GPa領域における立方晶窒化ホウ素焼結体の合成と特性評価2008

    • 著者名/発表者名
      谷口尚
    • 学会等名
      第49回高圧討論会
    • 発表場所
      姫路市商工会議所,兵庫県
    • 年月日
      2008-11-11
  • [学会発表] 超微粒立方晶窒化ホウ素焼結体の高圧合成とその切削特性評価2008

    • 著者名/発表者名
      谷口尚, 藤崎和弘, 横田秀夫
    • 学会等名
      第22回ダイヤモンドシンポジウム
    • 発表場所
      早稲田大学,東京
    • 年月日
      2008-10-21
  • [学会発表] 低温における六方晶窒化ホウ素の励起子発光スペクトル2008

    • 著者名/発表者名
      渡辺賢司, 谷口尚
    • 学会等名
      第22回ダイヤモンドシンポジウム
    • 発表場所
      早稲田大学大久保キャンパス,東京都新宿区
    • 年月日
      2008-10-21
  • [学会発表] ガスソースを用いた深紫外発光性六方晶窒化ホウ素の合成2008

    • 著者名/発表者名
      津田統, 渡辺賢司, 谷口尚
    • 学会等名
      第22回ダイヤモンドシンポジウム
    • 発表場所
      早稲田大学大久保キャンパス,東京
    • 年月日
      2008-10-21
  • [学会発表] 超高圧力下におけるIII族窒化物単結晶・焼結体の合成〜高純度化と不純物添加による機能発現2008

    • 著者名/発表者名
      谷口尚
    • 学会等名
      日本金属学会2008年秋季(第143回)大会
    • 発表場所
      熊本大学,熊本
    • 年月日
      2008-09-25
  • [学会発表] III族窒化物中の希土類機能元素の配位環境と電子状態2008

    • 著者名/発表者名
      大場史康, 酒井俊文, 林博之田中功, 谷口尚
    • 学会等名
      日本金属学会2008年秋期講演大会
    • 発表場所
      熊本大学,熊本
    • 年月日
      2008-09-25
  • [学会発表] Synthesis of group III-nitride crystals and their sintered bodies under high pressure by using belt-type apparatus2008

    • 著者名/発表者名
      T. Taniguchi
    • 学会等名
      4th International Workshop on Spinel-Nitrides and Related Material
    • 発表場所
      Jagdschloss Niederwald, Ruedesheim, ドイツ
    • 年月日
      2008-09-04
  • [学会発表] ポストアニールを利用した深紫外発光性六方晶窒化ホウ素成長(2)2008

    • 著者名/発表者名
      津田統, 渡辺賢司, 谷口尚
    • 学会等名
      秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学,愛知県春日井市
    • 年月日
      2008-09-04
  • [学会発表] Ni-Cr-Mo-Al溶媒を用いたcBN単結晶の高圧合成2008

    • 著者名/発表者名
      谷口尚, 窪田陽一
    • 学会等名
      第27回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺,静岡県,伊豆市
    • 年月日
      2008-07-09
  • [学会発表] Crystallization of boron nitride under high pressure and atmospheric pressure by using Ni-base metal solvent2008

    • 著者名/発表者名
      T. Taniguchi, Y. Kubota
    • 学会等名
      NDNC2008
    • 発表場所
      Grand Hotel, 台北,台湾
    • 年月日
      2008-05-27

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公開日: 2010-06-11   更新日: 2016-04-21  

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