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2009 年度 実績報告書

六方晶窒化ホウ素結晶の高輝度深紫外線発光制御

研究課題

研究課題/領域番号 19205026
研究機関独立行政法人物質・材料研究機構

研究代表者

谷口 尚  独立行政法人物質・材料研究機構, ナノスケール物質萌芽ラボ, グループリーダー (80354413)

研究分担者 渡邊 賢司  独立行政法人物質・材料研究機構, 光材料センター, 主幹研究員 (20343840)
小泉 聡  独立行政法人物質・材料研究機構, センサー材料センター, 主幹研究員 (90215153)
津田 統  独立行政法人物質・材料研究機構, 光材料センター, NIMS特別研究員 (10242041)
大場 史康  京都大学, 工学研究科, 准教授 (90378795)
山田 貴壽  産業技術総合研究所, ダイヤモンド研究センター, 研究員 (30306500)
キーワード六方晶窒化ホウ素 / 深紫外線発光 / 金属フラックス結晶成長 / 自由励起子発光 / 電子線励起型紫外線発光デバイス
研究概要

本研究の目的は、六方晶窒化ホウ素(hBN)の深紫外線(DUV)発光材料としてのポテンシャルを、世界に先駆けて開花させることである。
H21年度はこれまでに有用性を見出したNi系合金溶媒を中心として、常圧下での高純度hBN結晶の液相成長技術を確立した。
hBNの発光特性の基礎的な評価として、高圧法で成長した高純度hBN単結晶の発光・吸収・反射スペクトルをヘリウム温度近傍の低温領域で調べ、理論予測の示すフレンケル型励起子が格子系との強い相互作用(ヤン・テラー効果)により光学活性となること、および、自己束縛励起子状態を形成することを見出した。これまで議論の多かった励起子発光メカニズムの理解により、発光波長の制御および高効率化を図るためには、結晶積層方向の秩序の制御など、この物質特有の条件の最適化を必要とすることがわかった。
また、将来に向けたhBNの発光デバイス応用研究を加速するための基礎的な取り組みとして、DUV発光素子を試作した。具体的にはhBN単結晶粒子を発光層に用い、スピンド型の加速電子線源で励起することにより、ほぼ実用に近い光出力(0.2mW)の安定遠紫外光源の試作に成功した。また、この遠紫外発光デバイスを利用した小型乾電池駆動式遠紫外面発光光源の試作にも成功した。現在の遠紫外線発光素子の中でもっとも短波長での最大外部量子効率(0.3%)を得ることができた。また本素子は素子寿命および安定性の面から遠紫外領域で最も実用に近い発光素子である。

  • 研究成果

    (14件)

すべて 2010 2009

すべて 雑誌論文 (7件) (うち査読あり 7件) 学会発表 (6件) 図書 (1件)

  • [雑誌論文] Doping of hexagonal boron nitride via intercalation : A theoretical prediction2010

    • 著者名/発表者名
      F.Oba, A.Togo, I.Taknaka, K.Watanabe T.Taniguchi
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B 81

      ページ: 075125-075125-6

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Crystallization of hexagonal boron nitride exhibiting excitonic luminescence in the deep ultraviolet region at room temperature via thermal chemical vapor phase deposition2010

    • 著者名/発表者名
      O.Tsuda, K.Watanabe, T.Taniguchi
    • 雑誌名

      Diamond & Related Materials 19

      ページ: 83-90

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Resonant field emission from two-dimensional density of state on hydrogen-terminated intrinsic diamond2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamada, S.Shikata, C.E.Nebel
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 107

      ページ: 013705

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Synthesis of cubic boron nitride crystals using Ni-Cr and Ni-Cr-Al solvents under High Pressure2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Kubota, T.Taniguchi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys 48

      ページ: 71004-71007

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Far ultraviolet plane-emission handheld device based on hexagonal boron nitride2009

    • 著者名/発表者名
      K.Watanabe, T.Taniguchi, A.Niiyama, K.Miya, M.Taniguchi
    • 雑誌名

      Nature Photonics 3

      ページ: 591-594

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Jahn-Teller effect on exciton states in hexagonal boron nitride single crystal2009

    • 著者名/発表者名
      K.Watanabe, T.Taniguchi
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B 19

      ページ: 193104-193106

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Field emission properties of nano-structured phosphorus-doped diamond2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamada, C.E.Nebel, S.Shikata
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 256

      ページ: 1006-1009

    • 査読あり
  • [学会発表] Field emission characteristics of 2D hole accumulation layer on H-terminated CVD diamond2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamada, S.Shikata, C.E.Nebel
    • 学会等名
      International Vacuum Nanoelectronics Conference
    • 発表場所
      ACT CITY Congress Center(浜松市)
    • 年月日
      20090700
  • [学会発表] Doping of hexagonal boron nitride via intercalation : A first-principles study2009

    • 著者名/発表者名
      F.Oba, A.Togo, I.Tanaka, K.Watanabe, T.Taniguchi
    • 学会等名
      2009 MRS fall meeting
    • 発表場所
      John B.Hynes Convention Center, Boston USA
    • 年月日
      2009-11-30
  • [学会発表] 高純度窒化ホウ素単結晶の高圧・常圧合成2009

    • 著者名/発表者名
      谷口尚
    • 学会等名
      第22回 秋季シンポジウム,日本セラミックス協会
    • 発表場所
      愛媛大学(愛媛県)
    • 年月日
      2009-09-16
  • [学会発表] High Pressure Synthesis of Functionalized Boron Nitride by Doping under high pressure with temperature gradient method2009

    • 著者名/発表者名
      谷口尚
    • 学会等名
      47th EHPRG International Conference
    • 発表場所
      パリ大学(フランス)
    • 年月日
      2009-09-10
  • [学会発表] Growth of cubic boron nitride crystals by using metal solvents under high pressure with temperature gradient method2009

    • 著者名/発表者名
      谷口尚
    • 学会等名
      Joint AIRAPT-22 & HPCJ-50
    • 発表場所
      東京国際交流館(東京都)
    • 年月日
      2009-07-27
  • [学会発表] 高圧合成プロセスにおける機能元素制御による新機能材料の創製2009

    • 著者名/発表者名
      谷口尚
    • 学会等名
      日本金属学会セミナー「機能元素のナノ材料科学」
    • 発表場所
      京都大学(京都市)
    • 年月日
      2009-07-24
  • [図書] 超の技術2009

    • 著者名/発表者名
      谷口尚
    • 総ページ数
      8
    • 出版者
      無機マテリアル学会

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公開日: 2011-06-16   更新日: 2016-04-21  

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