研究課題
基盤研究(A)
1)スピントランスファーによる増幅作用の研究トンネル磁気抵抗素子に見られる負性抵抗の物理的機構を明らかにした。実験と計算により低温での増幅作用は歳差運動の開き角が注入電流によって制御されることによって、高温における増幅作用の増大は磁化の揺らぎが注入電流によって制御されることによって生じることを明らかにした。2)電圧誘起磁気異方性変化による増幅作用の研究Au/Fe超薄膜/MgO/ポリイミド/ITOの各層からなる接合においてFe層の膜厚を3原子層程度とすることにより磁化の方向が電圧によって大きく変化することを見出した。この結果より、電圧による磁化の制御により増幅作用を引き出せる可能性があることを見出した。
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