研究課題
基盤研究(A)
Si(111)-SOI構造を介したGaNのSi(001)に対する接合構造をMBE法により作成し、Si(111)-SOI構造の面方位変換が対称性の異なる系の接合に有用である事を示した。また、操作トンネル顕微鏡および4探針電気伝導測定を用いてSi(111)-SOI表面の電気伝導特性が大きく表面に依存することを見いだすなど、様々な低次元系の電気伝導特性の解明を行った。
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