研究課題
基盤研究(A)
集束イオンや電子ビームを用いたプラチナ局所堆積技術により、2~3ナノメートル間隙を持った電界放出電子源のエミッタ作製技術を開発し、放出される電子により干渉パターンが現れる条件を明らかにした。さらに、ゲート構造付きの電子源構造を開発し、低いゲート電圧で干渉パターンを制御できることを明らかにした。また、堆積プラチナ中の伝導電子のコヒーレント長と放出電子の可干渉条件を明らかにした。
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