| 研究概要 |
化合物半導体の2次非線形光学効果を用いた非線形光学デバイスを半導体光デバイスとモノリシックに集積化した非線形光集積回路(NLOIC : nonlinear-optic integrated circuit)と,それをさらに電子デバイスとモノリシックに集積化した非線形光・電子集積回路(NLOEIC : nonlinear optoelectronic integrated circuit)を新たに提案し,これらを実現するために必要な基盤技術を確立することを目的として,以下の項目について研究する。
(1)周期空間反転GaAs/AlGaAs疑似位相整合(QPM)デバイスへの電流注入による線形ゲインを共存させた,まったく新しい非線形光学デバイスの動作特性を解明する。
(2)GaAs基板上で上記の電流注入GaAs/AlGaAs QPM導波路デバイスを作製する際の問題点(結晶性や発光特性など)について検討した上で,良質なデバイスを作製するためのプロセスを開発する。
(3)化合物半導体ベースの非線形光学デバイスをSi基板上にモノリシック集積化するために基盤技術として,Si基板上Geエピタキシャル膜を疑似基板としたGaAsヘテロエピタキシャル成長と非線形光学デバイス作製について検討する。
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