| 研究課題/領域番号 |
19206031
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
本久 順一 北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 教授 (60212263)
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| 研究分担者 |
橋詰 保 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授 (80149898)
池辺 将之 北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 准教授 (20374613)
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| キーワード | 半導体ナノワイヤ / 量子集積ハードウェア / 電界効果トランジスタ / 有機金属気相成長法 / 選択成長 / 論理回路 |
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| 研究概要 |
平成20年度は半導体ナノワイヤの形成技術の高度化、半導体ナノワイヤによる横型および縦型の電界効果トランジスタ(FET)の作製と評価、そしてこれらの技術を基盤としたナノワイヤによる集積ハードウェアの構築のため以下の点を中心に研究を行なった。まず、InAsナノらワイヤを用いた横型の絶縁ゲートFETを試作し、トランジスタ動作を確認した。続いて縦型FET作製のためのプロセス技術確立に向け、成長し基板から立った状態のInAsナノワイヤの上部と基板とに電極を作製した2端子素子を作製した。その電流-電圧特性を評価した結果、InAs基板上のナノワイヤではオーミック特性を、Si基板上のナノワイヤに対しては整流特性を得た。前者については、移動度・キャリア密度を見積もることにより、定量的にも妥当、また後者についてもSiとInAsとのバンドアラインメントの観点から妥当と結論された。また、ナノワイヤ形成の高スループット化を目指し、ナノインプリント技術を用いて選択成長用のマスク基板の作製技術を検討した。ナノインプリント時の圧力・温度・時間などを最適化した結果、モールドパターンをレジストパターンとして転写することに成功し、選択成長用の基板作製の見通しを得た。さらに、微小流体を用いたナノワイヤのクロスバー配列構造の形成についても引き続き検討を行い、自己組織化単分子膜を用いることにより配列構造の改善が実現される見通しを得た。
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