| 研究課題/領域番号 |
19206033
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
大野 英男 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (00152215)
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| 研究分担者 |
大谷 啓太 東北大学, 電気通信研究所, 助教 (40333893)
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| 研究協力者 |
林 宗澤 東北大学, 大学院・工学研究科, 博士後期課程学生
ベルムバーリック モハッマド 東北大学, 大学院・工学研究科, 博士前期課程学生
佐藤 啓貴 東北大学, 工学部・情報知能システム総合学科, 学部学生
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| キーワード | 量子井戸 / MBE・エピタキシャル / 高性能レーザー / テラヘルツ赤外材料・素子 / サブバンド |
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| 研究概要 |
InAs中赤外量子カスケードレーザ(QCL)の磁場によるキャリアの閉じ込め効果を調べるために、量子井戸の面内に平行方向、及び垂直方向に磁場を印加し、特性を評価した。磁場を面内垂直方向に印加すると、ランダウ準位形成により閾値電流密度が減少した。一方で面内平行方向では閾値電流密度は変化せず、スロープ効率のみが増加するという特異な振る舞いを観測した。又テラヘルツ(THz)帯においても磁場の効果を調べるため、GaAs THz QCLを開発した。加えてTHz帯で高性能化が期待できるZnO量子井戸においてサブバンド間遷移を初めて観測した。
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