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(1)本研究では低電圧、低消費電力で動作する高集積不揮発メモリを、有機強誘電体膜を用いてフレキシブル基板上に作製することを目的としており、まず有機強誘電体材料であるP(VDF-TrFE)のメモリ応用に向けた最適化を図る。
(2)P(VDF-TrFE)の基本メモリ動作を確認するために、Si基板上にこの膜を堆積し、メモリトランジスタを作製する。
(3)P(VDF-TrFE)と有機半導体であるペンタセンとの組み合わせにより、全有機メモリトランジスタを作製する。また基板をPETなどのフレキシブルなものに変えて、特性を評価する。
(4)フレキシブル基板上に有機メモリ集積回路を作製ずる。
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