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光・熱・発電と情報伝達のための層状化合物ナローギャップ半導体デバイスと人工多層膜半導体デバイスの開発が本研究の目的である。本研究はバンドギャップが0.5eVから1.5eVの層状化合物ナローギャップ半導体を土台に、部分的な元素置換体、単結晶箔の堆積物、および、パルスレーザー蒸発法、ないし、スパッタ蒸発法による多層薄膜試料から、効率の良い熱電発電冷却素子、赤外LEDガラス素子およびガラス半導体レーザーを創製しようと考えた。本補助金によって、高真空スパッタ蒸着装置を購入して品位の高い多層膜試料を作製しようと計画した。
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