研究課題
基盤研究(B)
半導体製造技術の微細化に伴って顕在化しているリーク電力の増大、遅延変動の増大、ソフトエラーの発生確率の増大などの問題に対し、効率的な符号や多閾値電圧トランジスタを用いて低消費電力で遅延変動に対してロバスト性の高い非同期式システムを実現する方式を確立した。また、多数のプロセッサコアが一チップ上に実装されたVLSIに対してコアレベルの冗長性を利用することで、高信頼・高性能なVLSIシステムを実現する方式を確立した。
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IPSJ Journal Vol. 2
ページ: 65-79
IEICE Trans. on Fundamentals of Electronics, Communications, and Computer Sciences Vol. E90-A, No. 12
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Computer Communications Vol. 30, No. 8
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