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銀、白金、金などの貴金属を触媒粒子(50nm-1μm)を用いたウエットプロセスにより、それらの粒子がシリコンに沈み込み、シリコンにそれら粒子サイズの細孔を形成できることを明らかにした。一方、1μmより大きな触媒粒子を用いた場合には、孔の形成は困難であった。1μmより大きな孔を形成する方法を検討し、小さな粒子の凝集体を用いることが有効であり、シリコン中に10-20μmの細孔を形成できることを明らかにした。その原因は、粒子集合体の場合、粒子間の隙間を通して、エッチング液がシリコンと触媒界面に容易に侵入できるためであると考えられる。また、同様のウエットプロセス条件において、白金ワイヤ、あるいは白金薄板を用いて、それをシリコンと接触させることにより、直線の細溝を形成させることを明らかにした。これらのプロセスにおける溶液中に加えるエッチング成分の濃度、温度等を最適化することにより、形成されるア孔のスペクト比を向上できることも明らかにした。
シリコンに形成された孔に金属を充填することは、3次元的な配線を可能にする。そこで、上記の方法で形成された孔の先端には触媒粒子が残っていることを利用して、それを核にして、孔全体を金属で充填することにも成功した。
また、ウエットエッチングの溶液条件を変えることにより、孔の形成とは逆に、触媒粒子の周囲を残して、触媒粒子から離れた部分を溶解させる現象、触媒粒子を使わなくても、シリコンに多数の窪みを形成する現象などを見出した。
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