| 研究概要 |
Ba8Si46の高圧X線回折の実験データについてRietveld法およびMaximum-Entropy法により電子密度分布を解析した。この結果は謎の高圧相転移の原因追及の重要な一歩となるものである[1]。また、空孔生成モデルによる高圧相転移機構の可能性について考察した[2]。さらに、複雑ナノ材料の第一原理電子状態計算を可能にするため、ランダムベクトルの利用に基づいたオーダーN電子状態計算法を開発した[3]。
[1]Jianjun Yang,J.S.Tse,Y.Yao,and T.Iitaka,"Structural and Electronic Properties of Pristine and Ba-Doped Clathrate-Like Carbon Fullerenes",Angewandte Chemie International Edition 46,6275-6277(2007).
[2]T.Iitaka,Pressure-induced isostructural phase transition of metal-doped siIicon clathrates,Phys.Rev.B 75,012106(2007).
[3]Shintaro Nomura,and Toshiaki Iitaka,"Linear scaling calculation of a n-type GaAs quantumdot",Phys.Rev.E76,037701(2007).
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