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2008 年度 実績報告書

半導体結晶成長その場観察のためのX線散乱測定装置の開発

研究課題

研究課題/領域番号 19360006
研究機関名古屋大学

研究代表者

田渕 雅夫  名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (90222124)

研究分担者 竹田 美和  名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (20111932)
宇治原 徹  名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (60312641)
渕 真悟  名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教 (60432241)
キーワードX線CTR散乱測定 / ヨハンソン分光結晶 / 既存の実験室系X線源 / 角度分散のあるX線 / その場測定 / 半導体結晶成長 / 回転移動不要
研究概要

本研究では、新しいX線CTR散乱の測定系を開発し、より広く一般に利用可能な測定法とし、さらには既存の結晶成長装置とも組合せ可能な新しい結晶成長その場観察手法とすることを目的とした。これによって、原子層単位で設計された半導体デバイス作製に大きな発展が期待される。これによって構造と機能を完全に人間が制御したナノ構造の作製を可能し、結晶成長、半導体物理、半導体デバイスなど様々な分野の発展に貢献する。具体的には、1)既存の結晶成長装置とも組み合わせ得る測定系の開発、2)強力なX線を発生する放射光源の様な特殊なX線源を不要にすること、3)測定の高速化を行なうこと、を目的に研究を進めた。
最も重要なポイントは、入射光に角度分散のあるX線を使用することで、試料結晶の角度を変化させてスキャンを行なう必要を無くし、実験室レベルのX線源でX線CTR散乱測定が可能とする点である。角度分散のあるX線源を使用するもう一つの大きなメリットは、結晶、検出器等、測定系を構成する要素を全て固定することができ、測定のために回転移動させる必要がなくなることである。
本研究ではこのような、角度分散のあるX線をヨハンソン分光結晶で実現し、検出器側には2次元X線検出器を準備した。個々の構成要素の設計と、測定系としての配置を検討した結果、集光結晶を用い、実際にX線CTR散乱測定が可能であることを実証することができ、目的の1), 2)を達成した。今回導入したヨハンソン結晶は約3度の分散角を有し、試験的な測定対象としたInP/InGaAs系の半導体結晶の002ブラッグ点周りの測定を行う場合、逆格子空間中での指数にして約0.4の範囲をカバーできた。また、約1分程度の測定時間でも得られたCTR散乱スペクトルは十分な質を有しており、目的の3)をも達成した十分有用な測定系が構築できたと言える。

  • 研究成果

    (9件)

すべて 2009 2008

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (7件)

  • [雑誌論文] X-ray CTR scattering, measurements using conventional X-ray source to study semiconductor hetero-interfaces2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Maeda, M. TabucM, Y. TaKeda
    • 雑誌名

      Trans. Mat. Ees. Soc. Jpn 33

      ページ: 591-594

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Buried Heterostructure of Nitride Semiconductors Revealed by Laboratory Level X-ray GTR Scattering2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Takeda, Y. Maeda, T. Mizuno, M. Tabuchi
    • 雑誌名

      Trans. Mat. Res. Soc. Jpn 33

      ページ: 547-550

    • 査読あり
  • [学会発表] ヨハンソン分光結晶を用いた実験室系X線CTR散乱測定装置の開発2009

    • 著者名/発表者名
      為岡博, 川瀬達也, 田渕雅夫, 竹田美和
    • 学会等名
      第56回応用物理学会関係連合講演会.
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      20090330-20090402
  • [学会発表] 半導体における埋もれた界面の重要性とその測定・解析法2009

    • 著者名/発表者名
      竹田美和, 田渕雅夫
    • 学会等名
      第56回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      20090330-20090402
  • [学会発表] InP/GalnAs/InPヘテロ界面におけるAs原子吸着効果の温度依存性のX線CTR散乱法による解析2009

    • 著者名/発表者名
      森晶子, 為岡博, 藤井克典, 川瀬達也, 由渕雅夫, 竹田美和
    • 学会等名
      第22回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
    • 発表場所
      東京大学本郷キャンパス
    • 年月日
      20090109-20090112
  • [学会発表] 成長温度と成長速度がInP/GalnAs界面に及ぼす影響のX線CTR散乱法による解析2008

    • 著者名/発表者名
      為岡博, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      20080902-20080905
  • [学会発表] OMVPE成長の半導体ヘテロ界面その場観察に向けた実験室系X線CTR散乱測定2008

    • 著者名/発表者名
      水野哲也, 前田義紀, 神谷肇, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和
    • 学会等名
      第27回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺
    • 年月日
      20080709-20080711
  • [学会発表] X-ray OTR scattering analysis of as accumulation on GaInAs surface and growth temperature effects2008

    • 著者名/発表者名
      A. Mori, H. Tameoka, M. TabucLi, Y. Takeda
    • 学会等名
      Indium Posphide and Related Materials 2008
    • 発表場所
      Versailles, France
    • 年月日
      20080525-20080529
  • [学会発表] MOVPE reactor and X-ray CTR measurement system for GaN and related compounds2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Takeda, T. Mizuno, H. Kamiya, M. Tabuohi
    • 学会等名
      8th Akasaki Research Center Symp
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2008-11-20

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公開日: 2010-06-11   更新日: 2016-04-21  

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