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2008 年度 研究成果報告書

半導体結晶成長その場観察のためのX線散乱測定装置の開発

研究課題

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研究課題/領域番号 19360006
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関名古屋大学

研究代表者

田渕 雅夫  名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (90222124)

研究分担者 竹田 美和  名古屋大学, 大学院・工学研究科, 工学研究科 (20111932)
宇治原 徹  名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (60312641)
渕 真悟  名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教 (60432241)
研究期間 (年度) 2007 – 2008
キーワードX 線回折・散乱 / 半導体結晶成長 / その場観察 / ヨハンソン分光結晶
研究概要

究極の半導体デバイス開発に必要な、1原子層の精度で界面を評価するX線CTR散乱測定の新しい測定系の開発を行った.固定された試料結晶が焦点に来るように集光されたX 線源と2次元の検出器を組み合わせることで、1) 実験室レベルのX 線源で実現可能、2) 可動部を不要、3) 他の装置等との組み合わせ可能、などの様々な利点を持つ測定系が構築でき、従来のより大型の装置と遜色のない性能をえた.

  • 研究成果

    (17件)

すべて 2009 2008 2007

すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 3件) 学会発表 (14件)

  • [雑誌論文] X-ray CTR scattering measurements using conventional X-ray source to study semiconductor hetero-interfaces2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Maeda, T. Mizuno, A. Mori, M. Tabuchi and Y. Takeda
    • 雑誌名

      Trans. Mat. Res. Soc. Jpn 33

      ページ: 591-594

    • 査読あり
  • [雑誌論文] X-ray CTR scattering measurement to investigate the formation process of InP/GaInAs interface2007

    • 著者名/発表者名
      M. Tabuchi, A. Mori, Y. Ohtake and Y. Takeda
    • 雑誌名

      J. Phys. : Conference Series Vol. 83

      ページ: 012031

    • 査読あり
  • [雑誌論文] The importance to reveal buried interfaces in the semiconductor heterostructure devices2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Takeda and M. Tabuchi
    • 雑誌名

      J. Phys. : Conference Series Vol. 83

      ページ: 012002

    • 査読あり
  • [学会発表] Influence of Growth Rate and Temperature on InP/GaInAs Interface Structure Analyzed by X-ray CTR Scattering Measurement2009

    • 著者名/発表者名
      H. Tameoka, A. Mori, M. Tabuchi and Y. Takeda
    • 学会等名
      2009 Indium Posphide and Related Materials (IPRM2009)
    • 発表場所
      Beach, CA, USA
    • 年月日
      20090510-14
  • [学会発表] ヨハンソン分光結晶を用いた実験室系X線CTR散乱測定装置の開発2009

    • 著者名/発表者名
      為岡博, 川瀬達也, 田渕雅夫, 竹田美和
    • 学会等名
      第56回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      20090330-0402
  • [学会発表] 半導体における埋もれた界面の重要性とその測定・解析法2009

    • 著者名/発表者名
      竹田美和, 田渕雅夫
    • 学会等名
      第56回応用物理学会関係連合講演会, X線・中性子による埋もれた界面研究の最前線
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      20090330-0402
  • [学会発表] InP/GaInAs/InPヘテロ界面におけるAs原子吸着効果の温度依存性のX線CTR散乱法による解析2009

    • 著者名/発表者名
      森晶子, 為岡博, 藤井克典, 川瀬達也, 田渕雅夫, 竹田美和
    • 学会等名
      第22回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
    • 発表場所
      東京大学本郷キャンパス
    • 年月日
      20090109-12
  • [学会発表] 成長温度と成長速度がInP/GaInAs界面に及ぼす影響のX線CTR散乱法による解析2008

    • 著者名/発表者名
      為岡博, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      20080902-05
  • [学会発表] X-ray CTR scattering analysis of as accumulation on GaInAs surface and growth temperature effects2008

    • 著者名/発表者名
      A. Mori, H. Tameoka, M. Tabuchi, Y. Takeda
    • 学会等名
      Indium Posphide and Related Materials 2008 (IPRM2008)
    • 発表場所
      Versailles, France
    • 年月日
      20080525-29
  • [学会発表] 異なる成長温度での InP/GaInAs界面 As 原子分布に対する成長中断の影響2008

    • 著者名/発表者名
      森晶子、為岡博、田渕雅夫、竹田美和
    • 学会等名
      第55回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部船橋キャンパス
    • 年月日
      20080327-30
  • [学会発表] 成長温度と成長速度がInP/GaInAs 界面に及ぼす影響のX 線CTR 散乱法による解析2008

    • 著者名/発表者名
      為岡博, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会主催 2008年年末講演会
    • 発表場所
      学習院大学
    • 年月日
      2008-12-11
  • [学会発表] InP/GaInAs界面におけるAs 原子吸着効果の温度依存性-X線CTR散乱法による解析-2008

    • 著者名/発表者名
      森晶子, 為岡博, 川瀬達也, 藤井克憲, 田渕雅夫, 竹田美和
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会主催 2008年年末講演会
    • 発表場所
      学習院大学
    • 年月日
      2008-12-11
  • [学会発表] 窒化物半導体の埋もれたヘテロ構造2007

    • 著者名/発表者名
      竹田美和, 田渕雅夫
    • 学会等名
      第18回日本MRS学術シンポジウム
    • 発表場所
      日本大学理工学部駿河台校舎
    • 年月日
      20071207-09
  • [学会発表] InP/GaInAs界面における原子の分布広がり発生メカニズム2007

    • 著者名/発表者名
      森晶子, 大竹悠介, 田渕雅夫, 竹田美和
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工大
    • 年月日
      20070904-08
  • [学会発表] Mechanisms of As distribution in InP on GaInAs layer grown by OMVPE2007

    • 著者名/発表者名
      M. Tabuchi, Y. Ohtake, A. Mori and Y. Takeda
    • 学会等名
      The 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG15)
    • 発表場所
      Salt Lake City, Utah, USA
    • 年月日
      20070812-17
  • [学会発表] X-ray CTR scattering measurements to reveal the effect of the growth interruption processes on the InP/InGaAs interface structures2007

    • 著者名/発表者名
      M. Tabuchi, Y. Ohtake, A. Mori and Y. Takeda
    • 学会等名
      The 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG15)
    • 発表場所
      Salt Lake City, Utah, USA
    • 年月日
      20070812-17
  • [学会発表] X線CTR散乱法で解析するInP/GaInAs界面形成過程2007

    • 著者名/発表者名
      田渕雅夫
    • 学会等名
      埋もれた界面のX線・中性子解析に関するワークショップ2007
    • 発表場所
      東北大学金属材料研究所
    • 年月日
      20070722-24

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公開日: 2010-06-10   更新日: 2016-04-21  

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