| 研究概要 |
本研究では、フレキシブル基板(プラスチック等)上に於ける半導体薄膜の超高移動度化技術を確立する。本年度は3年計画の第1年度として、非晶質SiGeの触媒金属誘起固相成長を探索すると共に、電界印加による成長促進効果を検討した。
ガラス基板上に堆積した非晶質SiGe薄膜(Ge濃度:0〜100%)に触媒金属(Ni,Al,Cu,Co,Pd等)を添加し、アニール(250〜450℃)により固相成長を誘起する手法を検討した。結晶成長速度、形成層の結晶方位を触媒種、siGeのGe組成、及びアニール温度の関数として系統的に評価した結果、Cuを用いる事で、成長温度の極低温化(〜250℃)が実現できる事が明らかになった。また、A1を用いる事で、(111)方位に優先配向した多結晶SiGeが低温(〜400℃)で実現できた。更に、Ni及びCuを触媒として用い、結晶成長中に電界を印加する事で、結晶成長を約10倍に高速化できた。これは、電界により触媒原子の移動が増速された事に起因すると考えられる。
これらの結果は、来年度以降、フレキシブル基板上に結晶方位を制御したSiGe薄膜結晶を形成する手法を開発するための基盤技術として期待される。
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