研究課題
基盤研究(B)
フレキシブルなシステムインディスプレイの創出を目指し、高移動度を有するSiGe結晶の低温成長法の探索とデバイス試作を行った。金属触媒と電界印加を重畳した固相成長法を開発し、結晶成長の低温化(≦250℃)を実現した。さらに、ソース及びドレイン電極をショットキー接触構造とした新構造トランジスタを試作し、従来の多結晶Siを凌駕する高いチャネル移動度を実証した。
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