| 研究課題/領域番号 |
19360013
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
佐久間 芳樹 独立行政法人物質・材料研究機構, 半導体材料センター, 主幹研究員 (60354346)
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| 連携研究者 |
斎木 敏治 慶応大学, 理工学部, 准教授 (70261196)
池沢 道男 筑波大学, 数理物質科学研究科, 講師 (30312797)
黒田 隆 独立行政法人物質・材料研究機構, 量子ドットセンター, 主幹研究員 (00272659)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| キーワード | 量子ドット / 励起子 / 単一光子 / 励起子微細構造 / 光通信波長帯 / MOCVD |
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| 研究概要 |
量子暗号など将来の量子情報通信の要素として重要な波長1.3~1.55μmの光通信波長帯でのもつれ合い光子対発生技術への展開を目指し、ダブルキャップ法によるInAs/InP系量子ドットの形成技術を開発するとともに、ドットの構造評価、および励起子微細構造、多励起子状態、励起子再結合寿命、位相緩和時間に関する観測と評価を行った。本研究によって多くの基礎データが取得でき、今後の技術開発に重要となる新たな知見が得られた。
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