| 研究概要 |
1.Si(110)清浄表面作製法の確立
・ UVオゾン処理による有機汚染の除去効果をXPS測定により評価し,UVオゾン処理がSi(110)面上の有機汚染の除去に対しても有効であることを確認した.
・ UVオゾン処理時に進行する酸化皮膜の形成過程を放射光XPS測定により評価し,酸化がlayer-by-layerモードにて進行することを見出した.
2.Si(110)上酸化ダイナミクスの解明
・ Si(110)面上の酸素分子吸着状態をSTMおよび放射光XPSにより評価し,Si(110)面上にも,Si(001)やSi(111)面と同様,酸素分子の準安定吸着状態が存在する事を初めて見出した.同時に,この準安定吸着状態は,350℃程度のアニールによって,より安定な凝集酸化構造に変化することを見出した.
・ Si(110)上の1原子層(1ML)酸化膜の形成過程とその界面結合状態をSR-XPS測定により評価した.1ML酸化膜の形成過程にはSi_<2+>の形成を経由する反応経路が存在することを見出した.また,Si(110)酸化ではSi(001)面と異なり,Si_<3+>の形成がSi_<4+>より優勢であることを見出し,これらを(110)表面固有の原子配列により説明することに成功した.
・ Si(110)清浄表面は16×2及び2×16再配列構造のダブルドメインを示すが,通電加熱を用いることにより,これをシングルドメイン化することに成功した.
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