プラズマ支援レーザCVD法による5H-BNミクロコーン薄膜の大気中電界電子放出

2009 年度 自己評価報告書

• 研究課題/領域番号: 19360022
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 薄膜・表面界面物性
• 研究機関: 独立行政法人物質・材料研究機構
• 研究代表者: 小松 正二郎 独立行政法人物質・材料研究機構, 半導体材料センター, グループリーダー (70343845)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2010
• キーワード: プラズマ / レーザ / 電子放出 / BN / 薄膜

研究概要

本研究は、自己組織的に形成されたBNミクロコーン電子エミッター薄膜が大気中で電界電子放出するという独自発見の新現象を対象とし、同現象の基礎的な解明と、ミクロコーン形成機構の解明、およびその構造・分布などの制御により、実用化に向けての基礎を固めることを目的とする。

研究成果

• [雑誌論文] (2009)
  • 著者名/発表者名: Komatsu, S., Sato, Y., Hirano, D., Nakamura, T., Koga, K., Yamamoto, A., Nagata, T, Chikyo, T., Watanabe, T., Takizawa, T., Nakamura, K., Hashimoto, T., Shiratani, M. J.
  • 雑誌名: Phys.D : Appl.Phys. 42 ページ: 225107-12
  • 査読あり
• [雑誌論文] (2007)
  • 著者名/発表者名: Komatsu S, Ohta E, Tanaka H, Moriyoshi Y, Nakajima K, Chikyo T, Shiratani M
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 101 ページ: 084904-8
  • 査読あり
• [学会発表] レーザ・プラズマ同期CVDにより作製したP型sp3-結合性BN/n型Siヘテロダイオード太陽電池 (2009)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 他
  • 学会等名: AEPSE 2009
  • 発表場所: BEXCO Convention Center, 釜山, 韓国
  • 年月日: 2009-09-22
• [学会発表] 新機能性BN薄膜のレーザプラズマ同期CVD (2008)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: ISBB2008
  • 発表場所: くにびきメッセ, 松江市
  • 年月日: 2008-09-08
• [学会発表] プラズマ支援レーザCVDによるsp3結合性5H-BN電子エミッター薄膜の成長と特性 (2007)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 他
  • 学会等名: ICONO/LAT2007
  • 発表場所: National Cultural Center, Minsk, Belarus
  • 年月日: 2007-05-28
• [産業財産権] sp3-結合性BN高密度相を有するBN薄膜およびその製造方法 (2008)
  • 発明者名: 小松正二郎, 知京豊裕, 佐藤祐平, 平野大輔, 長田貴弘
  • 権利者名: (独) 物質・材料研究機構
  • 産業財産権番号: 特許特願2008-081434
  • 出願年月日: 2008-03-26
• [産業財産権] コーン・エミッタの形成方法 (2008)
  • 発明者名: 小松正二郎, 知京豊裕, 佐藤祐平, 平野大輔
  • 権利者名: (独) 物質・材料研究機構
  • 産業財産権番号: 特許特願2008-081441
  • 出願年月日: 2008-03-26
• [産業財産権] 半導体材料とその製造方法 (2008)
  • 発明者名: 小松正二郎, 知京豊裕, 佐藤祐平, 平野大輔
  • 権利者名: (独) 物質・材料研究機構
  • 産業財産権番号: 特許特願2008-081863
  • 出願年月日: 2008-03-26
• [産業財産権] 紫外域で発光するsp3結合型窒化ホウ素とその製造方法、及びこれを利用した機能性材料 (2008)
  • 発明者名: 小松正二郎, 岡田勝行, 守吉佑介
  • 権利者名: (独) 物質・材料研究機構
  • 産業財産権番号: 米国特許7419572
  • 取得年月日: 2008-09-09