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2008 年度 研究成果報告書

真空紫外RDS測定装置の開発と新チャネル材料上に形成した絶縁膜界面の秩序状態評価

研究課題

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研究課題/領域番号 19360025
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 薄膜・表面界面物性
研究機関独立行政法人産業技術総合研究所

研究代表者

安田 哲二  独立行政法人産業技術総合研究所, ナノ電子デバイス研究センター, 研究チーム長 (90220152)

研究分担者 藤原 裕之  国立大学法人岐阜大学, 工学部, 教授 (40344444)
田中 正俊  国立大学法人横浜国立大学, 大学院工学研究院, 教授 (90130400)
大野 真也  国立大学法人横浜国立大学, 大学院工学研究院, 特別研究教員 (00377095)
研究期間 (年度) 2007 – 2008
キーワード表面 / 界面物性 / 電子 / 電気材料 / 光物性 / 半導体超微細化
研究概要

表面・界面に敏感な光学測定として知られる反射率差分光(RDS)の測定エネルギー域を、従来の可視・紫外域(1~5 eV)から、真空紫外領域(~8.5 eV)へ拡張した装置を開発した。この装置を用いて、電界効果トランジスタの新チャネル材料上のゲート絶縁膜界面の構造を評価した。その結果、Siナノワイヤチャネル側面のモデルである高指数面上の熱酸化膜において、熱負荷とともに界面構造が変化する現象を見出した。また、高移動度チャネルとして有望なGeやIII-V族半導体への絶縁膜形成において、界面光学応答が変化する様子を観測した。

  • 研究成果

    (2件)

すべて 2009 2008

すべて 学会発表 (2件)

  • [学会発表] Si高指数面上に形成した酸化膜界面構造の真空紫外RDS 評価2009

    • 著者名/発表者名
      尾形祥一, 大野真也, 田中正俊, 安田哲二
    • 学会等名
      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-第14回研究会
    • 発表場所
      東レ総合研修センター
    • 年月日
      2009-01-22
  • [学会発表] 真空紫外RDSによるSi高指数面上の酸化膜界面構造の評価2008

    • 著者名/発表者名
      尾形祥一, 大野真也, 田中正俊, 安田哲二
    • 学会等名
      69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-02

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公開日: 2010-06-10   更新日: 2016-04-21  

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