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2007 年度 実績報告書

ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による酸化亜鉛エピタキシーと微小共振器形成

研究課題

研究課題/領域番号 19360137
研究機関東北大学

研究代表者

秩父 重英  東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (80266907)

研究分担者 上殿 明良  筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 准教授 (20213374)
宗田 孝之  早稲田大学, 理工学術院, 教授 (90171371)
杉山 睦  東京理科大学, 理工学部, 講師 (40385521)
キーワードヘリコン波励起プラズマ / 酸化亜鉛 / 微小共振器 / エピタキシー / 電気・電子材料 / 励起子 / 励起子ポラリトン
研究概要

ポラリトンレーザの実現は、新たな原理によるコヒーレント光の出現という学術的意義と、超低閾値化や未踏波長領域の光源実現という応用上の意義をあわせ持つ。
本年度は、将来的に「電気を流せる」pn接合型微小共振器作製へのショートカットをする目的から、p型結晶の成長がZnOよりも容易な窒化物半導体との積層構造形成を念頭に、ヘリコン波励起プラズマスパッタ(HWPS)法を用いてサファイヤa面基板だけでなくGaNテンプレート上にZnO薄膜のエピタキシャル成長を行った。また、サファイヤ基板上のZnO薄膜に対してCAICISS測定を行い、酸素極性成長することを明らかにした。また、サファイヤ基板上へのZnO成長において高温熱処理自己バッファ層(HITAB)の効果が顕著に現れたことから、今後はGaNテンプレート上でもHITABの挿入を試みる。
これと平行し、SiO_2、ZrO_2誘電体酸化物薄膜を反応性HWPS(R-HWPS)法で堆積して分布ブラッグ反射鏡を形成し、計算値にほぼ一致する反射率スペクトルを得た。さらに、新たな透明導電性薄膜として注目されはじめたNb添加(n型)TiO_2薄膜のR-HWPS製膜を開始した。これにあたり、屈折率分散の文献値を用いてZnO:Alとのλ/4n厚積層構造の計算を行い、導電性非単結晶DBR形成への指針を構築した。
また、ZnO:Alよりも低抵抗化が期待されているZnO:GaのHWPS薄膜堆積を行い、抵抗率制御の基礎データを取得した。

  • 研究成果

    (8件)

すべて 2008 2007 その他

すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (4件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] Preparation of ZnO: Ga thin films by hehicon-wave-excited plasma sputtering2008

    • 著者名/発表者名
      S. Masaki
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) (印刷中)

    • 査読あり
  • [雑誌論文] ZnO系半導体の発光寿命と結晶欠陥の関係2008

    • 著者名/発表者名
      秩父重英
    • 雑誌名

      第42回応用物理学会スクール(2008年春季)「ZnO系半導体の結晶成長、デバイスの基礎」テキスト

      ページ: 71-81

  • [雑誌論文] Effects of the high-temperature-annealed self-buffer layer on the improved properties of ZnO epilayers grown by helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy on a-plane sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      T. Koyama
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 102

      ページ: 073505 1-4

    • 査読あり
  • [学会発表] ZnO系半導体の発光寿命と結晶次陥の関係2008

    • 著者名/発表者名
      秩父重英
    • 学会等名
      第42回応用物理学会スクール(2008年春季)「ZnO系半導体の結晶成長、デバイスの基礎」
    • 発表場所
      日大船橋校舎
    • 年月日
      2008-03-27
  • [学会発表] Preparation of ZnO: Ga thin films by helicon-wave-excited plasma sputtering2007

    • 著者名/発表者名
      S. Masaki
    • 学会等名
      The 34th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS 2007)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan,
    • 年月日
      20071015-18
  • [学会発表] ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーにおける高温熱処理自己緩衝層挿入效果2007

    • 著者名/発表者名
      小山享宏
    • 学会等名
      平成19年度東北大学金属材料研究所ワークショップ「酸化亜鉛半導体テクノロジーの進歩」
    • 発表場所
      東北大学
    • 年月日
      2007-12-20
  • [学会発表] ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるZnO: Ga薄膜成長2007

    • 著者名/発表者名
      杉山睦
    • 学会等名
      平成19年度東北大学金属材料研究所ワークショップ「酸化亜鉛半導体テクノロジーの進歩」
    • 発表場所
      東北大学
    • 年月日
      2007-12-20
  • [備考]

    • URL

      http://www.tagen.tohoku.ac.jp/labo/chichibu/poster/HWP/HWP.html

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公開日: 2010-02-04   更新日: 2016-04-21  

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