ErドープSi量子井戸発光デバイスの開拓

2008 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 19360138
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 石川 靖彦 東京大学, 大学院・工学系研究科, 講師 (60303541)
• 連携研究者: 和田 一実 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (30376511) ; 上浦 洋一 岡山大学, 大学院・自然科学研究科, 教授 (30033244)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2008
• キーワード: 薄膜・量子構造

研究概要

室温動作するSi 系1.5μm 帯発光素子実現に向け、Er をドープしたSi 量子井戸を作製し、発光特性評価を行った。検討した2 種類の方法のうち、SiO2 上へのEr ドープSi 成長を利用する方法により、多結晶ではあるがEr ドープSi 量子井戸の作製に成功した。フォトルミネセンス測定の結果、Er の内殻遷移による1.54μm の室温発光を得ることができた。Si の量子井戸化により温度消光が低減されるという本研究提案が実証できた可能性がある。

研究成果

• [雑誌論文] 熱酸化を用いたSi量子井戸とエルビウム添加 (2008)
  • 著者名/発表者名: 大崎龍介, 石川靖彦, 山下善文, 上浦洋一, 和田一実
  • 雑誌名: 電子情報通信学会技術研究報告 OPE2008-138 ページ: 11-16
• [学会発表] 熱酸化を用いたSi 量子井戸とエルビウム添加 (2008)
  • 著者名/発表者名: 大崎龍介、石川靖彦、山下善文、上浦洋一、和田一実
  • 学会等名: 電子情報通信学会光エレクトロニクス研究会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2008-12-19
• [学会発表] Si 上Ge 受光素子 (2008)
  • 著者名/発表者名: 石川靖彦、和田一実
  • 学会等名: 財団法人光産業技術振興協会「シリコンフォトニクス技術フォーラム」
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2008-03-10
• [学会発表] シリコンフォトニクスとゲルマニウム受光デバイス (2007)
  • 著者名/発表者名: 石川靖彦、和田一実
  • 学会等名: 平成19 年度第二回フォトニックデバイス・応用技術研究会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2007-07-26
• [学会発表] シリコンフォトニクスと高速光デバイス (2007)
  • 著者名/発表者名: 石川靖彦、和田一実
  • 学会等名: 電子情報通信学会超高速光エレクトロニクス時限研究会平成19 年度第二回超高速光エレクトロニクス研究会「超高速光デバイスおよび材料の今後の展開-超100Gbit/s 時代の到来に向けて-」
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2007-07-20
• [備考]
  • URL: http://www.microphotonics.material.t.u-tokyo.ac.jp