• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2008 年度 実績報告書

固相C60及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの基礎研究

研究課題

研究課題/領域番号 19360141
研究機関福井大学

研究代表者

橋本 明弘  福井大学, 工学研究科, 准教授 (10251985)

研究分担者 山本 あき勇  福井大学, 工学研究科, 教授 (90210517)
葛原 正明  福井大学, 工学研究科, 教授 (20377469)
福井 一俊  福井大学, 工学研究科, 教授 (80156752)
塩島 謙次  福井大学, 工学研究科, 准教授 (70432151)
キーワード固相C60薄膜 / グラフェン / 炭素系デバイス / SiC基板 / 電界効果トランジスタ / AlN単結晶薄膜
研究概要

本研究課題は、固相C_<60>/AlN構造及び固相C_<60>/グラフェン/SiO_2構造における原子レベルで制御された界面を形成し、電界効果によるキャリア注入の基礎物性を解明することにある。なかでも、理想的な界面形成技術は、研究課題の中でも中心となる課題であり、本研究課題では、良質な単結晶固相C_<60>薄膜の成長が期待できる表面平坦なSiC基板上AlN単結晶層を用いた界面形成とSiC基板の超高真空中での高温熱処理により形成されるグラフェンのSiO_2/Si基板上への転写による表面改質を用いた界面形成の二方向からのアプローチをしている。
H20年度の研究成果としては、
(1) CMP処6H-SiC(0001)基板の減圧水素高温処理による6ML高さのステップ制御をした基板を用いて原子レベルで表面平坦なAlN表面を有する基板を入手し、C60のエピタキシャル成長をはじめた。
(2) 微傾斜SiC基板上に形成したグラフェン多層膜を大面積で再現性良く引き剥がす技術を確立し、当初の目標の一つであったグラフェン層のSiO_2基板上への直接転写の可能性を示すことが出来た。
これらの研究成果は、理想的な界面形成技術の向上に大きな寄与を与えるものと考えられ、次年度以降に計画している電界効果トランジスタ(FET)構造の作製とその特性評価によるキャリア注入の基礎物性を解明に大きく貢献するものと考えられる。

  • 研究成果

    (13件)

すべて 2009 2008

すべて 雑誌論文 (4件) (うち査読あり 4件) 学会発表 (9件)

  • [雑誌論文] Electron Beam Irradiation Effect for Solid C_<60> Epitaxy on Graphene2009

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Hashimoto, et. al
    • 雑誌名

      Diamond & Related Materials 18

      ページ: 388-391

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Van der Waals epitaxy of solid C_<60> on graphene sheet2008

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Hashimoto, et. al
    • 雑誌名

      Diamond & Related Materials 17

      ページ: 1622-1624

    • 査読あり
  • [雑誌論文] A trade-off relation between tilt and twist angle fluctuations in InN grown by RF-MBE2008

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Hashimoto, et. al
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 5

      ページ: 1876-1878

    • 査読あり
  • [雑誌論文] New nitridation technique for mosaicity control in RF-MBE InN growth2008

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Hashimoto, et. al
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 5

      ページ: 1771-1773

    • 査読あり
  • [学会発表] RF-MBE InN Growth on Step-ordered Off-angle Sapphire Substrates2008

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Hashimoto
    • 学会等名
      Int. Workshop on Nitride Semiconductor 2008 (IWN2008), WS2a
    • 発表場所
      Montreux, Switzerland
    • 年月日
      2008-10-06
  • [学会発表] Step-flow Growth in Solid C_<60> Epitaχy on Graphene2008

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Hashimoto
    • 学会等名
      19th Europian Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, a Nitrides, (DIAMOND2008)
    • 発表場所
      Sitges, Spain
    • 年月日
      2008-09-11
  • [学会発表] MBE法によるグラフェン/傾斜SiC基板上固相C60薄膜のステップフロー成長2008

    • 著者名/発表者名
      橋本明弘
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会, 5a-X-1
    • 発表場所
      中部大学、愛知
    • 年月日
      2008-09-05
  • [学会発表] RF-MBE Growth of In-rich InGaN for Tandem Solar Cell2008

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Hashimoto
    • 学会等名
      15th Int'l Conference on Molecular BeamEpitaxy (MBE2008), MP28
    • 発表場所
      Vancouver, Canada
    • 年月日
      2008-09-04
  • [学会発表] A Study of Mg-doping Behavior of RF-MBE InN using Homo-junction Structure2008

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Hashimoto
    • 学会等名
      15th Int'l Conference on Molecxilar Beam Epitaxy (MBE2008), MP25
    • 発表場所
      Vancouver, Canada
    • 年月日
      2008-09-04
  • [学会発表] RF-MBE法による高品質InN 用のテンプレートとしての微傾斜サファイア基板上のAIN成長2008

    • 著者名/発表者名
      橋本明弘
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会, 4a-CA-8
    • 発表場所
      中部大学、愛知
    • 年月日
      2008-09-04
  • [学会発表] 傾斜SiC基板上エピクキシャルグラフェンの表面欠陥近傍の顕微ラマン分光測定2008

    • 著者名/発表者名
      橋本明弘
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会, 2p-R-10
    • 発表場所
      中部大学、愛知
    • 年月日
      2008-09-02
  • [学会発表] Direct Measurements of Van der Waals Force in HOPG2008

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Hashimoto
    • 学会等名
      2^<nd> Conference on New Diamond & Nano Carbons 2008 (NDNC2008), P1-064
    • 発表場所
      Taipei, Taiwan
    • 年月日
      2008-05-27
  • [学会発表] Electron Beam Irradiation Effect for Solid C_<60> Epitaxy on Graphene2008

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Hashimoto
    • 学会等名
      2^<nd> Conference on New Diamond & Nano Carbons 2008 (NDNC2008), Oral B4-002
    • 発表場所
      Taipei, Taiwan
    • 年月日
      2008-05-26

URL: 

公開日: 2010-06-11   更新日: 2016-04-21  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi