| 研究課題/領域番号 |
19360141
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| 研究機関 | 福井大学 |
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研究代表者 |
橋本 明弘 福井大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (10251985)
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| 研究分担者 |
山本 [アキ]勇 福井大学, 大学院・工学研究科, 教授 (90210517)
葛原 正明 福井大学, 大学院・工学研究科, 教授 (20377469)
福井 一俊 福井大学, 大学院・工学研究科, 教授 (80156752)
塩島 謙次 福井大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (70432151)
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| キーワード | 固相C60薄膜 / グラフェン / 炭素系デバイス / SiC基板 / 電界効果トランジスタ / AlN単結晶薄膜 |
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| 研究概要 |
本研究課題は、固相C_<60>/AlN構造及び固相C_<60>/グラフェン/SiO_2構造における原子レベルで制御された界面を形成し、電界効果によるキャリア注入の基礎物性を解明することにある。なかでも、理想的な界面形成技術は、研究課題の中でも中心となる課題であり、本研究課題では、良質な単結晶固相C_<60>薄膜の成長が期待できる表面平坦なSiC基板上AlN単結晶層を用いた界面形成とSiC基板の超高真空中での高温熱処理により形成されるグラフェンのSiO_2/Si基板上への転写による表面改質を用いた界面形成の二方向からのアプローチをしている。H21年度の研究成果としては、
(1)微傾斜SiC基板上に形成したグラフェン多層膜を大面積で再現性良く引き剥がす技術を確立した。
(2)当初の目標である層数を制御した1層グラフェン層及び2層グラフェン層をSiO_2基板上への直接転写することに成功した。
これらの研究成果は、理想的な界面形成技術の向上に大きな寄与を与えるものと考えられ、固層C60及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの研究に大きく貢献するものと考えられる。
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