研究課題
基盤研究(B)
本研究は固体メモリの高速性, 磁気記録の不揮発性, さらには低電力での書き換え特性を兼備した固体メモリデバイスの開発を目的とし, 微細加工した希土類遷移金属(RE-TM)垂直磁化膜への熱磁気記録, RE-TM膜へのスピン注入磁気記録を試みた. RE-TM膜を用いることで十分実現可能なパワー密度で高速の熱アシスト磁化反転が可能であることが分かった.さらに.RE-TM垂直磁化膜へのスピン注入による磁化反転を確認することに成功し, 低電力での磁化反転の可能性を示すことができた.
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