トンネル注入制御Geナノデバイスを用いた超高周波キャリア伝導機構の解明

2008 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 19360153
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 東北大学
• 研究代表者: 田中 徹 東北大学, 大学院・医工学研究科, 教授 (40417382)
• 研究分担者: 福島 誉史 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (10374969)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2008
• キーワード: 半導体物性 / 電子デバイス / デバイス設計 / 半導体超微細化 / 超薄膜

研究概要

従来のCMOS技術の延長では実現不可能であるナノメートル領域で動作する新しいトンネル注入制御ゲルマニウムナノデバイスを提案し、キーテクノロジである高純度ゲルマニウム層の作製技術を確立した。また、高透磁率金属ナノドットを有する高周波動作用インダクタの作製に成功した。キャリア伝導メカニズムの実験的解析法として、超高周波領域で測定した散乱パラメータ(Sパラメータ)を用いたキャリアの反射/透過現象のモデル化手法を確立した。

研究成果

• [雑誌論文] Characteristicsof copper spiral inductors utilizing FePtnano-dots film (2009)
  • 著者名/発表者名: W.-C. Jeong, K. Kiyoyama, K.-W. Lee, A. Noriki, M. Murugesan, T. Fukushima, T. Tanaka, and M. Koyanagi
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics C157-1C157-4
  • URL: Vol. 48,No.4
  • 査読あり
• [雑誌論文] Investigation of the effect of in situ annealing of FePt nanodots under high vacuum on the chemical states of Fe and Pt by x-ray photoelectron spectroscopy (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Murugesan, J.C. Bea, C.-K. Yin, H. Nohira, E. Ikenaga, T. Hattori, M. Nishijima, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Miyao, and M. Koyanagi
  • 雑誌名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 104 ページ: 074316-1-074316-5
  • 査読あり
• [学会発表] Synthesis and characterization of magnetic nano-dots for on-chip inductors (2009)
  • 著者名/発表者名: M. Murugesan
  • 学会等名: 第56回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 筑波大学, 日本
  • 年月日: 2009-03-30
• [学会発表] New Heterogeneous Multi-Chip Module Integration Technology using Self-Assembly Method (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Fukushima
  • 学会等名: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting
  • 発表場所: San Francisco, USA
  • 年月日: 2008-12-16
• [学会発表] study of lectromagnic inductor for power deivery to three-dimensional retinal prosthesis system (2008)
  • 著者名/発表者名: W.-C. Jeng
  • 学会等名: GPBE/NUS-Tohoku Graduate Student Conference in Bioengineering
  • 発表場所: Singapore
  • 年月日: 2008-12-10
• [学会発表] Characteisticsof Magnetic Film Inductors with FePt Nano-Dots (2008)
  • 著者名/発表者名: W.-C. Jeong
  • 学会等名: 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: Tsukuba, Japan
  • 年月日: 2008-09-24
• [学会発表] 高透磁率膜上に形成したインダクタの基本特性 (2008)
  • 著者名/発表者名: 木野 久志
  • 学会等名: 第55回応用物理学関係連合講演会2008春
  • 発表場所: 船橋,日本
  • 年月日: 2008-03-28
• [学会発表] Investigation of FePt Nano-Dots Fabricated by Self-Assembled Nano-Dot Deposon Method Usin-ray Photoelectron Spectroscopy (2007)
  • 著者名/発表者名: M. Murugesan
  • 学会等名: 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: Tsukuba, japan
  • 年月日: 2007-09-21
• [備考]
  • URL: http://www.sd.mech.tohoku.ac.jp/site/Home.html