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2008 年度 実績報告書

シリコンカーバイドを用いた高密度用新型二端子抵抗変化型不揮発性メモリ

研究課題

研究課題/領域番号 19360156
研究機関東京農工大学

研究代表者

須田 良幸  東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究院, 教授 (10226582)

キーワード3C-SiC / 不揮発性メモリ / RRAM / 抵抗変化型RAM / 不揮発性RAM / 酸化膜 / 電子トラップ / フラッシュメモリ
研究概要

本研究で企画するメモリは、代表研究者が世界で初めて考案したSiC層を用いた新しい構造・新しい動作原理に基づく抵抗変化型不揮発性RAM(RRAM)である。このメモリは、金属/SiO_2/SiO_x/SiC/Si/金属というMIS(金属-絶縁体-半導体)構造を有しており、作製が容易で、資源的に豊富な元素から成ることで環境に優しいという大きな特色を持つ。本研究では、素子構造と作製プロセス条件とメモリ特性との相関および動作原理の解析を進め、実用化の基盤技術を確立する。これまで、1000℃以上のSiC成膜と酸化プロセスを用いてきた。前年度は基本原理と基本特性を解析し、さらに、周辺LSI回路の製造プロセス温度である850℃程度でSiO_2/SiO_xの酸化2層構造が作製可能なプロセスを提案した。今年度は、このプロセスを用いて、実際に850℃のプロセス温度で、上記酸化2層構造が作製でき、メモリ特性を示すことを実証した。このプロセスで作製した場合、SiO_2の厚みの減少に伴って、ON(低抵抗状態)時の素子電流としてのトンネル電流が増加する傾向を把握した。また、直径100〜300μ程度の素子寸法の範囲では、電流密度の特性に変化のないことを示した。一方、もう一つの高温プロセスであるSiC成膜温度下げるために、スパッタ法を用いた3C-SiC成膜法を検討し、700℃で成膜したSiCとSiO_2層を用いてメモリ特性の得られることを実証した。本SiC膜ではFTIRの測定から3C構造のSiC結晶が形成されていることが示唆された。以上の結果は、LSI製造プロセス温度に整合した本メモリの作製法が提供できることを示している。以上、これまで提案している動作原理を補強する結果が得られ、また、実用化の可能な作製プロセスを実験的に提案することができた。

  • 研究成果

    (8件)

すべて 2009 2008

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (2件) 産業財産権 (4件) (うち外国 2件)

  • [雑誌論文] Si0/3C-SiC/Si MIS Nonvolatile Resistance Memory2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Suda, M. Shouji, K. Takada
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 1

      ページ: 071401-1071401-3

    • 査読あり
  • [雑誌論文] 3C-SiC MIS抵抗変化型不揮発性半導体メモリー素子2008

    • 著者名/発表者名
      須田良幸
    • 雑誌名

      応用物理 77

      ページ: 11071110

    • 査読あり
  • [学会発表] SiO_2/SiO_x/3C-SiC/n-Si (001)Nonvolatile Resistance Memory Formedwith One-Stage Oxidation Process2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamaguchi, H. Hasegawa, Y. Suda
    • 学会等名
      214th ECS Meeting (PRiME 2008)
    • 発表場所
      Hawaii
    • 年月日
      2008-10-15
  • [学会発表] SiO_2/SiO_x/SiC/Si MIS不揮発性抵抗変化型メモリの一段酸化形成技術2008

    • 著者名/発表者名
      山口祐一郎,長谷川宏巳,須田良幸
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛知県春日井市
    • 年月日
      2008-10-03
  • [産業財産権] 半導体メモリ装置、及びその製造方法2009

    • 発明者名
      須田良幸野村彬成
    • 権利者名
      東京農工大
    • 産業財産権番号
      2009-61883
    • 出願年月日
      2009-03-13
  • [産業財産権] SiC不揮発性メモリの製造方法2008

    • 発明者名
      須田良幸山口祐一郎
    • 権利者名
      東京農工大
    • 産業財産権番号
      2008-215746
    • 出願年月日
      2008-08-25
  • [産業財産権] 半導体メモリ装置2008

    • 発明者名
      須田良幸太田
    • 権利者名
      東京農工大三洋半導体
    • 産業財産権番号
      PCT/TP2008/066499
    • 出願年月日
      2008-09-08
    • 外国
  • [産業財産権] 半導体メモリ装置2008

    • 発明者名
      須田良幸太田豊
    • 権利者名
      東京農工大三洋半導体
    • 産業財産権番号
      PCT/JP2008/066500
    • 出願年月日
      2008-09-08
    • 外国

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公開日: 2010-06-11   更新日: 2016-04-21  

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