| 研究課題/領域番号 |
19360164
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| 研究機関 | 広島大学 |
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研究代表者 |
中島 安理 広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 准教授 (70304459)
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| 研究分担者 |
横山 新 広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 教授 (80144880)
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| キーワード | Ge基板 / MOSトランジスタ / 原子層成長 / ゲート絶縁膜 / 信頼性 |
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| 研究概要 |
本研究の目的は、将来の高性能デバイスとして期待されるGe基板を用いたMOSトランジスタの作製方法を確立する事である。特に、Ge基板上への高信頼性ゲート絶縁膜を作製する技術の開発とその電気特性・信頼性の詳細な評価及びソース/ドレイン上にGe金属化合物を形成し金属電極とのコンタクト抵抗を低減する技術等の要素技術の確立を通して、高性能・高信頼性GeMOSトランジスタを実現する事である。
本年度の研究計画は、原子層成長Si窒化膜、原子層成長HfO_2/Si窒化膜スタックゲート絶縁膜を形成し、膜質評価及びダイオードの電気特性・信頼性評価を行う事およびGe基板上のソース/ドレインのためのGe金属化合物の形成であった。前者に対しては、Hf[N(C_2H_5)_2]_4とH_2Oの交互照射を用いたGe基板上へのHfO_2の原子層成長法の確立を行い、蛍光X線分析による構成元素の同定やX線k光電子分光法による組成分析、原子間力顕微鏡による膜平坦性の評価を行い、良好な膜が得られている事を確認した。また、電気特性についてもダイオードを作製しリーク電流評価を行い、良好な膜が得られている事を確認した。Si窒化膜の原子層成長については未だ行えてないが、HfO_2の原子層成長法の確立できたので来年度にこのゲート絶縁膜を用いて信頼性の評価を行う事により、ゲート絶縁膜の欠陥及び欠陥生成についての新しい情報を得られると期待できる。後者のGe金属化合物の形成については今年度未着手だったので、来年度行う予定である。
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