| 研究課題/領域番号 |
19360165
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東北学院大学 |
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研究代表者 |
原 明人 東北学院大学, 工学部, 教授 (20417398)
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| 連携研究者 |
北原 邦紀 島根大学, 総合理工学部, 教授 (60304250)
菅原 文彦 東北学院大学, 工学部, 准教授 (70171139)
鈴木 仁志 東北学院大学, 工学部, 准教授 (70351319)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| キーワード | 多結晶シリコン / 水素化微結晶シリコン / 薄膜トランジスタ / ダブルゲート |
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| 研究概要 |
自己整合メタルダブルゲート低温多結晶シリコン薄膜トランジスタを550℃にてガラス上に実現し、550℃という低温度で形成された多結晶シリコン薄膜トランジスタとしては世界トップレベルの性能を実現した。この研究成果は、ガラス上での低消費電力かつ高速回路の実現に道を開くものである。さらにデバイスの縦方向への集積化に向けて、低温で形成が可能な自己整合レーザ活性化トップゲート水素化微結晶シリコン薄膜トランジスタの開発を進め、325℃という低温プロセスを用いて、線形領域の移動度が1.1cm^2/Vsを有するデバイスを実現した。
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