研究課題
基盤研究(B)
緑色半導体レーザの開発を目指しInP基板上のII-VI族半導体材料の開拓を進めた。BeZnSeTeを活性層とするダブルヘテロ構造(DH)では室温において緑色~黄色光励起発振に成功し、BeZnSeTeが緑色~黄色レーザの活性層材料として高い性能を有していることを示した。BeZnSeTeを活性層とするDHレーザ構造を作製し、電流注入により評価したところ550~560nmにおいて黄緑色の発光が観測された。
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Applied Physics Letters Vol. 94
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Journal of Crystal Growth Vol. 311
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