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2009 年度 実績報告書

超急速熱処理における非接触温度測定と不純物の短時間活性化に関する研究

研究課題

研究課題/領域番号 19360187
研究機関広島大学

研究代表者

東 清一郎  広島大学, 大学院・先端物質科学研究科, 准教授 (30363047)

キーワード超々大規模集積回路 / 薄膜トランジスタ / 不純物活性化 / 極浅接合 / 急速熱処理 / 非接触温度測定
研究概要

本年度は、AsおよびBのクラスターイオンを注入したシリコンウエハ表面へ熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理をおこない、処理温度だけでなく、加熱・冷却の速度が不純物活性化に与える影響について詳細な実験的検討を行った。その結果、以下のことが明らかになった。
・Asは1000K以上で高効率活性化するのに対して、Bで同等の活性化率を得るためには1400K以上の熱処理温度が必要である
・B注入試料は1400Kまでの処理温度の上昇に伴って単調にシート抵抗が低下するのに対して、As注入試料は1000K以上の処理温度であってもシート抵抗値に大きなばらつきが生じる
・As注入試料のシート抵抗がばらつく理由を明らかにするために、1000K前後の処理温度で加熱冷却速度を0.3から1.0X10^5K/sに増加させる実験をおこなった。その結果、シート抵抗は3400Ωから250Ωへと大幅に低減可能であることが明らかになった。すなわち、処理温度だけでなく、高い急速加熱・冷却速度がAs活性化における重要なパラメータであることが明らかになった。
・熱プラズマジェットを高密度化することによって、従来のミリ秒からマイクロ秒へと熱処理時間を短くすることによって、注入不純物(As)のクラスタリングの抑制と活性化率向上の可能性があることを実験的に明らかにした
以上、急速熱処理による不純物活性化において重要な熱処理条件に関して、実験的事実に基づく知見を得ることができた。

  • 研究成果

    (6件)

すべて 2010 2009 その他

すべて 学会発表 (5件) 備考 (1件)

  • [学会発表] 高密度熱プラズマジェット照射急速熱処理による極浅接合中の高効率不純物活性化2010

    • 著者名/発表者名
      松本和也
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2010-03-17
  • [学会発表] Activation of B and As in Ultra Shallow Junction with Heating and Cooling Rates Controlled Millisecond Annealing Induced by Thermal Plasma Jet2009

    • 著者名/発表者名
      松本和也
    • 学会等名
      2009 Int. Conf. Solid Sate Dev. Mat.
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2009-10-07
  • [学会発表] 結晶化・相変化への応用 熱プラズマジェットによるアモルファスシリコンの結晶化2009

    • 著者名/発表者名
      東清一郎
    • 学会等名
      日本真空協会9月研究例会, スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会第115回定例研究会
    • 発表場所
      東京ビッグサイト
    • 年月日
      2009-09-16
  • [学会発表] 熱プラズマジェット照射ミリ秒急速熱処理中の加熱・冷却速度制御と不純物活性化2009

    • 著者名/発表者名
      松本和也
    • 学会等名
      第44回応用物理学会スクール「安価、簡単、便利~大気圧プラズマの基礎と応用~」
    • 発表場所
      富山大学五福キャンパス
    • 年月日
      2009-09-08
  • [学会発表] Millisecond Thermal Processing for TFT and ULSI [Invited]2009

    • 著者名/発表者名
      東清一郎
    • 学会等名
      Semiconductor Tech. for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors II
    • 発表場所
      Xi'an, China
    • 年月日
      2009-07-05
  • [備考]

    • URL

      http://home.hiroshima-u.ac.jp/semicon/

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公開日: 2011-06-16   更新日: 2016-04-21  

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