研究概要 |
低速陽電子ビームを用いた酸化膜/半導体構造評価手法を開発し,理想的な金属/酸化膜/半導体界面構造を得るためのプロセスを探索する.従来から使用してきた低速陽電子ビームラインを改造し,ビーム径縮小システムを製作し3次元で欠陥分布を計測する.また,低速陽電子ビーム,XPS,電気的特性評価等により,TiN/SiO_2/Si, HfSiO_x/Si, CVD-SiO_2,熱酸化SiO_2を評価することによりこれらの欠陥と電気的特性の関係を探る.加えて,Cu/low-k配線構造を有する試料についてlow-kとメタルバリアの反応を解明する.
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