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2008 年度 研究成果報告書

"サイズ効果フリー"誘電体の誘電特性におよぼす残留歪と温度の影響

研究課題

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研究課題/領域番号 19360294
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 無機材料・物性
研究機関東京工業大学

研究代表者

舟窪 浩  東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 准教授 (90219080)

研究分担者 内田 寛  上智大学, 理工学部, 助教 (60327880)
研究期間 (年度) 2007 – 2008
キーワードサイズ効果 / 誘電体薄膜 / 残留歪み / 温度依存性
研究概要

サイズ効果フリー特性を有するSrBi_4Ti_4O_<15>について、誘電特性に及ぼす残留歪と温度の影響を調べた。結晶方位の異なる膜を作製して評価したところ、誘電率の温度依存性には結晶方位依存性が存在し、(001)配向が最も小さな温度依存性を示すことが明らかになった。一方基板からの熱歪の異なる基板上に作製したc軸1軸配向膜でも、比誘電率の温度依存性は小さいことが明らかになった。

  • 研究成果

    (13件)

すべて 2009 2008 2007 その他

すべて 雑誌論文 (8件) (うち査読あり 7件) 学会発表 (4件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] Effect of the Annealing Temperature on Dielectric Properties of Bi_<1.5>Zn_<1.0>Nb_<1.5>O_7 Films Prepared by MOCVD2009

    • 著者名/発表者名
      Hiroshi Funakubo, Shingo Okaura, Muneyasu Suzuki, Hiroshi Uchida, and Seiichiro Koda
    • 雑誌名

      Key Eng. Mater 388

      ページ: 175-178

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Fabrication of conductive oxide polycrystalline BaPbO_3 films by chemical solution deposition and their electrical resistivity2009

    • 著者名/発表者名
      Hiroshi Naganuma, Kayoko Yamada, Hiromi Shima, Kensuke Akiyama, Takashi Iijima, Hiroshi Funakubo, and Soichiro Okamura
    • 雑誌名

      J Electroceram 22

      ページ: 78-81

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Low strain sensitivity of the dielectric property of pryrochlore Bi-Zn-Nb-O films2008

    • 著者名/発表者名
      Hiroshi Funakubo, Shingo Okaura, Muneyasu Suzuki, Hiroshi Uchida, Seiichiro Koda, Rikyu Ikariyama, and Tomoaki Yamada
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett 92

      ページ: 182901-1-182901-3

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Single domain epitaxial growth of yttria stabilized zirconia on Si(111)substrate2008

    • 著者名/発表者名
      S. Kaneko, K. Akiyama, T. Ito, Y. Hirabayashi, S. Ohya, T. Oguni, Y. Sawada, H. Funakubo, and M. Yoshimoto
    • 雑誌名

      Ceram. Inter 34(4)

      ページ: 1047-1050

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Degradation free Dielectric Property Using Bismuth Layer structure Dielectrics Having Natural Superlattice Structure2008

    • 著者名/発表者名
      Hiroshi Funakubo
    • 雑誌名

      J. Ceram. Soc. Jpn 116(12)

      ページ: De1249-1254

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Cubic on cubic growth of a MgO(001) thin film prepared on Si(001) substrate at low ambient pressure by the sputtering method2008

    • 著者名/発表者名
      S. Kaneko, H. Funakubo, T. Kadowaki, Y. Hirabayashi, and K. Akiyama
    • 雑誌名

      EPL 81

      ページ: 46001-1-5

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Temperature Dependency of Dielectric Properties in Epitaxially Grown SrBi_4Ti_4O_<15> Films with Different Orientation2008

    • 著者名/発表者名
      Hiroshi Funakubo, Muneyasu Suzuki, Kenji Takahashi, and Takayuki Watanabe
    • 雑誌名

      Key Engineering Materials 368-372

      ページ: 1811-1813

    • 査読あり
  • [雑誌論文] ビスマス層状誘電体のナノレイヤー積層方向に見られる新規誘電特性2007

    • 著者名/発表者名
      舟窪浩
    • 雑誌名

      (社)日本セラミックス協会 42

      ページ: 169-174

  • [学会発表] Si基板上における(001)高配向性(Ca, Sr)Bi_4Ti_4O_<15>薄膜の作製2009

    • 著者名/発表者名
      水谷佑樹, 内田寛, 舟窪浩, 幸田清一郎
    • 学会等名
      日本セラミックス協会2009年度年会
    • 発表場所
      東京理科大学野田キャンパス
    • 年月日
      2009-03-16
  • [学会発表] 化学溶液法による(001)配向(Ca, Sr)Bi_4Ti_4O_<15>薄膜の作製2008

    • 著者名/発表者名
      水谷佑樹, 内田寛, 舟窪浩, 幸田清一郎
    • 学会等名
      2008年度秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-02
  • [学会発表] Film thickness dependence of the dielectric thin films in c axis oriented bismuth layer perovskite materials2007

    • 著者名/発表者名
      H. Funakubo
    • 学会等名
      The Fifth China International Conference on High Performance Ceramics(CICC-5)
    • 発表場所
      Vaya Huatian International Hotel, Changsha, China
    • 年月日
      20070510-13
  • [学会発表] Degradation Free Characteristics of c axis Oriented Bismuth Layer Structured Dielectrics2007

    • 著者名/発表者名
      Hiroshi Funakubo, Kenji Takahashi, Muneyasu Suzuki, Takashi Kojima, Takayuki Watanabe, Kazumi Kato, Yukio Sakashita, Kazushi Sumitani, and Osami Sakata
    • 学会等名
      International Symposium on Integrated Ferroelectrics(ISIF 2007)
    • 発表場所
      Bordeaux, France
    • 年月日
      20070508-11
  • [備考]

    • URL

      http://f-lab.iem.titech.ac.jp/f-lab.htm

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公開日: 2010-06-10   更新日: 2016-04-21  

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