研究課題
基盤研究(B)
サイズ効果フリー特性を有するSrBi_4Ti_4O_<15>について、誘電特性に及ぼす残留歪と温度の影響を調べた。結晶方位の異なる膜を作製して評価したところ、誘電率の温度依存性には結晶方位依存性が存在し、(001)配向が最も小さな温度依存性を示すことが明らかになった。一方基板からの熱歪の異なる基板上に作製したc軸1軸配向膜でも、比誘電率の温度依存性は小さいことが明らかになった。
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