極端紫外光による超微細加工実現へ向けた学術基盤確立のためのナノ空間反応研究

2009 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 19360428
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 原子力学
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 古澤 孝弘 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (20251374)
• 研究分担者: 佐伯 昭紀 大阪大学, 産業科学研究所, 特別科学研究員 (10362625)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2009
• キーワード: 放射線 / X線 / 粒子線 / 半導体超微細化 / シミュレーション工学 / 計算物理

研究概要

半導体微細加工材料のモデル化合物のパルスラジオリシスを行い、微細パターン形成機構と反応中間体の空間分布を解明した。さらに、反応機構を定式化し、モンテカルロシミュレーションコードを開発した。

研究成果

• [雑誌論文] Effect of Polymer Protection and Film Thickness on Acid Generator Distribution in Chemically Amplified Resists (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Fukuyama, T. Kozawa, H. Yamamoto, S. Tagawa, M. Irie, T. Mimura, T. Iwai, J. Onodera, I. Hirosawa, T. Koganesawa, K. Horie
  • 雑誌名: J. Photopolym. Sci. Technol 22巻 ページ: 105-109
  • 査読あり
• [雑誌論文] 放射線化学に基づく化学増幅型EB・EUVレジスト材料・プロセスの研究 (2009)
  • 著者名/発表者名: 古澤孝弘
  • 雑誌名: 放射線化学 87巻 ページ: 2-13
  • 査読あり
• [雑誌論文] Dynamics of Radical Cation of Poly(4-hydroxystyrene) and Its Copolymer for Extreme Ultraviolet and Electron Beam Resists (2009)
  • 著者名/発表者名: K. Okamoto, M. Tanaka, T. Kozawa, S. Tagawa
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 48巻 ページ: 06FC06
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of Molecular Structure on Depth Profile of Acid Generator Distribution in Chemically Amplified Resist Films (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Fukuyama, T. Kozawa, K. Okamoto, S. Tagawa, M. Irie, T. Mimura, T. Iwai, J. Onodera, I. Hirosawa, T. Koganesawa, K. Horie
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 48巻 ページ: 06FC03
  • 査読あり
• [雑誌論文] Resolution degradation caused by multispur effect in chemically amplified extreme ultraviolet resists (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Kozawa, S. Tagawa, M. Shell
  • 雑誌名: J. Appl. Phys 103巻 ページ: 084306
  • 査読あり
• [雑誌論文] heoretical Study on the Dependence of Acid Distribution on Material Properties of Chemically Amplified Extreme Ultraviolet Resists (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Kozawa, S. Tagawa, M. Shell
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 47巻 ページ: 6288-6292
  • 査読あり
• [雑誌論文] Study of the Reaction of Acid Generators with Epithermal and Thermalized Electrons (2008)
  • 著者名/発表者名: K. Natsuda, T. Kozawa, A. Saeki, S. Tagawa, T. Kai, T. Shimokawa
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 47巻 ページ: 4932-4935
  • 査読あり
• [雑誌論文] Acid distribution in chemically amplified extreme ultraviolet resist (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Kozawa, S. Tagawa, H.B. Cao, H. Deng, M.J. Leeson
  • 雑誌名: J. Vac. Sci. Technol. B 25巻 ページ: 2481-2485
  • 査読あり
• [雑誌論文] Point Spread Function for the Calculation of Acid Distribution in Chemically Amplified Resists Used for Electron-Beam Lithography (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Kozawa, S. Tagawa
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 46巻 ページ: L1200-L1202
  • 査読あり
• [雑誌論文] Study of Acid-Base Equilibrium in Chemically Amplified Resist (2007)
  • 著者名/発表者名: K. Natsuda, T. Kozawa, K. Okamoto, S. Tagawa
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 46巻 ページ: 7285-7289
  • 査読あり
• [学会発表] Development Status and Future Prospect of Extreme Ultraviolet Resists (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Kozawa
  • 学会等名: International Workshop on EUV Lithography
  • 発表場所: Honolulu, Hawaii, USA
  • 年月日: 2009-07-16
• [学会発表] Effect of molecular structures of acid generators on acid generation in chemically amplified resists upon exposure to 75 keV electron beam (2008)
  • 著者名/発表者名: K. Natsuda, T. Kozawa, K. Okamoto, S. Tagawa
  • 学会等名: 21st International Microprocesses and Nanotechnology Conference
  • 発表場所: Fukuoka, Japan
  • 年月日: 2008-10-28
• [学会発表] Nanoscale Distribution of Intermediates in Resist Materials for Next Generation Lithography (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Kozawa, S. Tagawa
  • 学会等名: ASR Symposium
  • 発表場所: 茨城県那珂郡東海村
  • 年月日: 2007-11-08
• [備考]
  • URL: http://www.sanken.osaka-u.ac.jp