研究課題
基盤研究(C)
惑星系ダスト円盤の寿命やそこでの種々の物理過程を明確にするため, 以下の研究を行った.(1) 残骸円盤におけるダスト集積の理論(2) ダストアグリゲートの衝突シミュレーション(3) 電子線照射によるシリケートダストの結晶化(4) 低温結晶化の実験と理論(5) 結晶シリケート粒子の蒸発実験その結果, 汎用性をもつ, 残骸円盤におけるダスト集積の解析的理論の構築, 従来の常識を破る低温結晶化の機構と宇宙物理学へのその応用, ダスト衝突によるダストの付着成長/破壊の条件の解明と微惑星への成長への含意, 等についての研究を展開した.
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