2009 年度研究成果報告書

単結晶酸化膜上の貴金属単原子層の作製および電子物性と反応性の研究

研究課題

研究課題/領域番号	19540331
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	補助金
応募区分	一般
研究分野	物性Ⅰ
研究機関	東京大学
研究代表者	村田好正東京大学, 名誉教授 (10080467)
連携研究者	岡野達雄東京大学, 生産技術研究所, 教授 (60011219) 福谷克之東京大学, 生産技術研究所, 教授 (10228900) 松本益明東京大学, 生産技術研究所, 助教 (40251459)
研究期間 (年度)	2007 – 2009
キーワード	表面・界面物性 / 物性実験 / 金属物性 / 複合材料・物性
研究概要	遷移金属の単結晶表面上に極薄の酸化物単結晶を作り、それを基板として白金、金などの貴金属を蒸着すると単原子層膜ができる。この電子物性と反応性の研究を目指したが、そこまで研究はたどり着けなかった。そして本研究では単結晶ニッケルの(111)表面上にSiO_2単結晶の超薄膜を作ることに対象を絞った。しかし多くのトラブルに遭遇し、それも思うように進まなかったが、超高圧相のSiO_2が生成している可能性が高い。これはインパクトが大きく、地上では作られていないが、宇宙空間には存在するのではないだろうか。