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2008 年度 研究成果報告書

GaN結晶ドライエッチングの分子動力学シミュレーション

研究課題

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研究課題/領域番号 19540527
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 プラズマ科学
研究機関立命館大学 (2008)
高松工業高等専門学校 (2007)

研究代表者

服藤 憲司  立命館大学, 理工学部, 教授 (60442472)

研究分担者 河村 雄行  東京工業大学, 理工学研究科, 教授 (00126038)
研究期間 (年度) 2007 – 2008
キーワードプラズマ加工 / 計算物理 / 結晶工学 / 窒化ガリウム / 分子動力学 / ドライエッチング
研究概要

物理スパッタリング率のイオンエネルギー及びイオン入射角度依存性、さらにエッチング後の結晶欠陥の基礎データを収集した。N原子に対するスパッタリング率はGa原子に対するそれよりも大きい。エッチングによるダメージに関して、結晶内にはGaとNがペアになったショットキー欠陥が生じやすい。Gaは格子間原子と成り得るが、Nは格子間原子としては結晶内に存在し得ず、表面上に押し出されて再結晶化するか、スパッタされる。反応性塩素ガスを結晶表面に被覆した場合のイオンアシストエッチングの素過程を調べた。物理スパッタリングの場合と比べて、Gaに対するエッチング率が飛躍的に増加すること、また、Arイオンが入射してから、Gaが表面から離脱するまでの時間が10倍程度遅くなることを確認した。

  • 研究成果

    (4件)

すべて 2009 2008 2007

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件) 学会発表 (3件)

  • [雑誌論文] Sputtering Yield as a Function of Incident Ion Energy and Angle in Wurtzite-Type GaN Crystal2008

    • 著者名/発表者名
      K.Harafuji and K. Kawamura
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 74

      ページ: 1536-1540

    • 査読あり
  • [学会発表] Molecular Dynamics of GaN Dry Etching2009

    • 著者名/発表者名
      K. Harafuji and K. Kawamura
    • 学会等名
      Proc. Plasma Science Symposium 2009 and The 26th Symposium on Plasma Processing
    • 年月日
      20090000
  • [学会発表] Point defects induced by dry-etching in wurtzite-type GaN crystal2007

    • 著者名/発表者名
      K. Harafuji and K. Kawamura
    • 学会等名
      Abstracts of 18th International Symposium on Plasma Chemistry
    • 年月日
      20070000
  • [学会発表] Energy and angular dependence of incident Ar ion in dry-etching of wurtzite-type GaN crystal2007

    • 著者名/発表者名
      K. Harafuji and K. Kawamura
    • 学会等名
      XXVIII International Conference on Phenomena in Ionized Gases
    • 年月日
      20070000

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公開日: 2010-06-10   更新日: 2016-04-21  

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