研究課題
基盤研究(C)
加熱金属表面における触媒分解過程が、これまでの還元性ラジカルの生成に加え、酸素原子やOHラジカルなどの酸化性ラジカルの選択的生成にも利用できることを示した。特に、イリジウムは、高温でも酸素や酸化窒素、水蒸気等によって酸化されることはなく、これを用いることにより金属汚染のない酸化物薄膜の成膜や表面処理が可能である。また、タングステンとイリジウムにおける発生ラジカル種の比較から、両者における反応過程の相違についての知見を得た。
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Jpn.J.Appl.Phys. 48[2]026503
ページ: 7
Thin Solid Films 517, [12]
ページ: 3446-3448
J.Phys.D : Appl.Phys. 41[22]225505
ページ: 5
Thin Solid Films 516, [10]
ページ: 3000-3004
J.Vac.Sci.Tech.A 26, [2]
ページ: 309-311
J.Appl.Phys. 103, [3]034905
ページ: 6
Thin Solid Films 516, [5]
ページ: 829-831
ページ: 553-557
ページ: 500-502
月間ディスプレイ Vol.14, No.9
ページ: 49-56
J.Chem.Phys. 127, [1]014304
http://www.ipc.shizuoka.ac.jp/~thumemo/kaken08.pdf