| 研究概要 |
弱い電子受容体にアニオンとなる置換基-SO_3-を導入することにより弱い電子受容性を示すアニオン(AA)を作成し、それを対イオンとするドナー・アニオン型有機伝導体が得られたとする。この時にもしこのAAがχ(χ<<1)だけドナーから電子を受け取れば、そのχ分だけ伝導層にホールがドープされることになる。また、弱い電子供与体にアニオンとなる置換基を導入したアニオン(DA)からドナー・アニオン型有機伝導体が得られた場合、今度は電子ドープが期待できる。さて、平成20年度にN,N-disulfo-1, 4-benzoquninone diimine (dsqi)を開発し、高いアクセプター性を示すことを報告し、またそのBEDT-TTF塩の極細針状晶が得られたので、その予備的なX線構造解析の結果も報告した。昨年度、このBEDT-TTF塩の結晶作成を幾度も試みたが、再現性に乏しく、得られた物はすべて極細針状晶であり、残念ながら結晶構造の確定、およびホールドープの有無の確認には至らなかった。他に2種類のAA[2-sulfo-3,5,6-tribromo-1,4-benzoquinone (bas), 2-sulfo-3,5,6-trifluoro-1,4-benzoquinone (fas)】の開発に成功し、BEDT-TTFとの電解を試みたが、basのみがBEDT-TTF塩を与え、しかし、ホールドープによる効果は結晶構造や物性には現れなかった。また2種類のDA(N-propylsulfophenothiazine, N-butylsulfbphenothiazine)の開発に成功したが、いずれのDAもBEDT-TTF塩を与えなかった。
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